| 講演名 | 1999/11/18 HBTにおける自己発熱の補償およびその解析 朱 雨, トワイナム J. K., 矢倉 基次, 長谷川 正智, 長谷川 隆生, / 天野 義久, 末松 英治, 作野 圭一, 松本 信之, 佐藤 浩哉, 橋爪 信郎, |
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| 抄録(和) | HBTにおける自己発熱補償法の提案および検証を行い、補償のメカニズムを解析した。HBTのベース・バイアス回路に特定の値の抵抗を挿入することにより、HBTの直流、パルス特性における自己発熱効果の補償が観測され、その補償がHBT内部帰還の中和の結果であることを定量的に説明し、HBTの物理パラメータから所望の補償抵抗値を求める解析式も導いた。 |
| 抄録(英) | A simple technique, inserting a specified resistance in the bias circuit, to compensate self-heating effect in DC and pulse characteristics of HBTs is proposed and demonstrated. Utilizing the bias scheme dependence of HBT behaviors, the compensation is achieved due to the cancellation of the positive and negative thermal-electric feedback inside HBTs. An analytical expression relating the specified resistance with the physical parameters of HBT is presented |
| キーワード(和) | HBT / 自己発熱 / 補償 / 帰還 / バイアス回路 |
| キーワード(英) | HBT / self-heating / compensation / feedback / bias circuit |
| 資料番号 | ED99-217 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | HBTにおける自己発熱の補償およびその解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-heating Effect Compensation in HBTs and Its Analysis |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | 自己発熱 / self-heating |
| キーワード(3)（和/英） | 補償 / compensation |
| キーワード(4)（和/英） | 帰還 / feedback |
| キーワード(5)（和/英） | バイアス回路 / bias circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 朱 雨 / Y. Zhu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | トワイナム J. K. / J. K. Twynam |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢倉 基次 / M. Yagura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 正智 / M. Hasegawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長谷川 隆生 / T. Hasegawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | / 天野 義久 / Y. Eguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | / シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 末松 英治 / Y. Amano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 作野 圭一 / E. Suematsu |
| 第 8 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 松本 信之 / K. Sakuno |
| 第 9 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 佐藤 浩哉 / N. Matsumoto |
| 第 10 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 橋爪 信郎 / H. Sato |
| 第 11 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation |
| 発表年月日 | 1999/11/18 |
| 資料番号 | ED99-217 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 440 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |