| 講演名 | 1999/11/18 Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC 矢野 仁之, 中原 寧, 平山 知央, 松野 典朗, 鈴木 康之, 古川 昭雄, |
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| 抄録(和) | 標準的なCMOSプロセスによるMOSFETを用いて作製したオンチップ整合型Ku帯(10-20GHz)アンプについて報告する。シリコン基板上の伝送線路として5.6μm厚ポリイミド/SiON上の3μm厚Al配線を整合回路として用いることにより、シングルゲート型アンプにおいて周波数帯域12-19 GHzで利得7.5-5 dB、50オーム信号源接続時のノイズフィギャー3.5-3.8 dBを、カスコード型のアンプにおいては23GHzという高周波で利得10.5dB、帯域26GHzを得た。CMOSプロセス・デバイスによる10 GHz帯へのRF応用の可能性を示した。 |
| 抄録(英) | We have demonstrated Ku-band (12-20 GHz) Si MOSFET monolithic amplifiers with on-chip matching networks. In these amplifiers, we used 3-μm-thick Al-metal transmission lines on 5.6-μm-thick polyimide/SiON isolation layers for the matching networks. The single gate MOSFET amplifier showed a gain of 7.5-5 dB and a noise figure of 3.5-3.8 dB at about 12-19 GHz. The bandwidth was as high as 20GHz, which is close to f_ |
| キーワード(和) | Si MOSFET / CMOS LSI / Ku帯 / 増幅器 / MMIC / オンチップ整合回路 / ローノイズ |
| キーワード(英) | Si MOSFET / CMOS LSI / Ku-band / Amplifiers / MMIC / On-chip matching / Low-Noise |
| 資料番号 | ED99-216 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ku-band Si MOSFET Amplifiers with On-chip Matching Networks |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si MOSFET / Si MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS LSI / CMOS LSI |
| キーワード(3)（和/英） | Ku帯 / Ku-band |
| キーワード(4)（和/英） | 増幅器 / Amplifiers |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(6)（和/英） | オンチップ整合回路 / On-chip matching |
| キーワード(7)（和/英） | ローノイズ / Low-Noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢野 仁之 / Hitoshi Yano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光超高周波デバイス研究所 NEC Corporation Optelectronics and High Frequency Device Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中原 寧 / Yasushi Nakahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平山 知央 / Tomohisa Hirayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光超高周波デバイス研究所 NEC Corporation Optelectronics and High Frequency Device Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松野 典朗 / Noriaki Matsuno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光超高周波デバイス研究所 NEC Corporation Optelectronics and High Frequency Device Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 康之 / Yasuyuki Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光超高周波デバイス研究所 NEC Corporation Optelectronics and High Frequency Device Research Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古川 昭雄 / Akio Furukawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光超高周波デバイス研究所 NEC Corporation Optelectronics and High Frequency Device Research Laboratories |
| 発表年月日 | 1999/11/18 |
| 資料番号 | ED99-216 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 440 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |