講演名 1999/11/18
50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
宇土元 純一, 石田 多華生, 赤石 明, 荒木 恒彦, 門脇 直人, 小丸 真喜雄, 三井 康郎,
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抄録(和) CRLが中心となって開発を進めている超高速通信衛星用APAA (Active Phased Array Antenna)に用いるK帯電力増幅器において、電力付加効率50%の2段中出力増幅器MMICを開発したので報告する。本増幅器に加え、ドライバ段用に3段可変利得増幅器を開発した。チップサイズ縮小のため、整合回路にはMIMキャパシタと高インピーダンス線路によるショートスタブを用いた。その結果、チップサイズ1.0mm×2.0mmを実現した。中出力増幅器の設計において、最大効率が得られるように各段のゲート幅の最適化を行った。周波数18GHzから20GHzにおいて、中出力増幅器と可変利得増幅器は、それぞれ線形利得18dB及び24dBを得た。中出力増幅器では、出力電力24.6dBm、電力付加効率50%という良好な特性が19GHzにおいて得られた。
抄録(英) This paper describes the successful development of a 2-stage power amplifier (PA) with 50% efficiency at K-band. A3-stagevariable gain amplifier (VGA) was also developed for a driving stage. Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors and high impedance lines are employed as matching elements to accomplish a compact chip size. As a result, these amplifiers achieve compact chip sizes of 1.0 x 2.O mm^2. In designing the PA, gate widths in the first and second stages are optimized to achieve high efficiency. The PA and VGA have linear gains of more than 18 dB and 24 dB from 18 GHz to 20 GHz, respectively. The PA delivers an output power of 24.6 dB and a power added efficiency (PAE) of as high as 50% at 19 GHz. These results are promising for onboard light weight Active Phased Array Antenna (APAA) at K-band.
キーワード(和) 出力増幅器 / MMIC / HEMT
キーワード(英) Power Amplifier / MMIC / HEMT
資料番号 ED99-215
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1999/11/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 50% PAE K-Band Power MMIC Amplifier
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 出力増幅器 / Power Amplifier
キーワード(2)(和/英) MMIC / MMIC
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT
第 1 著者 氏名(和/英) 宇土元 純一 / Junichi Udomoto
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 石田 多華生 / Takao Ishida
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Electric Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 赤石 明 / Akira Akaishi
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社鎌倉製作所
Kamakura Works, Mitsubishi Elctric Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 荒木 恒彦 / Tsunehiko Araki
第 4 著者 所属(和/英) 郵政省通信総合研究所(CRL)
Communications Research Laboratory, Ministry of Posts and Telecommunications
第 5 著者 氏名(和/英) 門脇 直人 / Naoto Kadowaki
第 5 著者 所属(和/英) 郵政省通信総合研究所(CRL)
Communications Research Laboratory, Ministry of Posts and Telecommunications
第 6 著者 氏名(和/英) 小丸 真喜雄 / Makio Komaru
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Electric Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 三井 康郎 / Yasuo Mitui
第 7 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Electric Corporation
発表年月日 1999/11/18
資料番号 ED99-215
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 440
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日