| 講演名 | 1999/11/18 準ミリ波帯高効率MMICの開発 佐藤 富雄, Betti-Berutto A., 二階堂 淳一朗, 三谷 英三, 黒田 滋, |
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| 抄録(和) | 準ミリ波帯用途向けに高効率、高出力パワーMMICを開発した。トランジスタ部にはAlGaAs/InGaAs/AlGaAsダブルへテロ構造バワーpHEMTを採用した。このパワーpHEMTは18GHzで電力付加効率68%、出力電力23.5dBmと良好な特性を示した。このパワーpHEMTを用い、K帯パワーMMICを試作した。試作したMMICは周波数帯域18GHzから20GHzの広帯域において、1dB利得圧縮時で電力付加効率40%以上を示し、そのときの出力電力(P1dB)は31.0dBm以上、電力利得(G1dB)は15.0dB以上と非常に良好な特性が得られた。 |
| 抄録(英) | High efficiency, high power MMIC has been developed for sub-millimeterwave applications. As a trasistor, we used power pHEMT which has AlGaAs/InGaASs/AlGaAs double hetero structure. This power pHEMT showed a 68% power added efficiency with 23.5dBm output power at 18GHz. We also developed K-Band power MMIC using this power pHEMT. This MMIC showed very good performance which power added efficiency is greater than 40% at 1dB gain compression point with over 31dBm P1dB and over 15dB G1dB in the frequency range from 18 to 20 GHz. |
| キーワード(和) | 準ミリ波帯 / 高効率 / 高出力 / パワーpHEMT / パワーMMIC |
| キーワード(英) | Sub-millimeterwave / High Efficiency / High Power / Power pHEMT / Power MMIC |
| 資料番号 | ED99-213 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 準ミリ波帯高効率MMICの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency PA MMIC for Sub-millimeterwave Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 準ミリ波帯 / Sub-millimeterwave |
| キーワード(2)（和/英） | 高効率 / High Efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力 / High Power |
| キーワード(4)（和/英） | パワーpHEMT / Power pHEMT |
| キーワード(5)（和/英） | パワーMMIC / Power MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 富雄 / Tomio SATOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Betti-Berutto A. / A. Betti-Berutto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | Fujitsu Compound Semiconductor Inc. Fujitsu Compound Semiconductor Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 二階堂 淳一朗 / Junichiro NIKAIDO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三谷 英三 / Eizo MITANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 黒田 滋 / Shigeru KURODA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/11/18 |
| 資料番号 | ED99-213 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 440 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |