| 講演名 | 1999/11/18 完全整合MMIC合成による広帯域Ka帯4W電力増幅器 松永 高治, 三浦 郁雄, 岩田 直高, |
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| 抄録(和) | 本報告書は、Ka帯電力増幅器に関するものである。電力増幅器は、ゲート長0.35μmよりなる高出力へテロ接合FETを能動素子とする完全整合MMICを4合成して構成した。用いた完全整合MMICは28GHz帯で出力1Wを示すものであり、これを入出力共に同じ出力合成回路基板を用いて合成する事により、増幅器は容易に構成できる。試作した電力増幅器は、周波数28GHzにおいて出力3W、電力付加効率20.5%を達成し、最大出力として4.5Wを得た。さらに、Ka帯比帯域2GHzにおいて出力3W以上の広帯域性が得られた。 |
| 抄録(英) | This paper describes design consideration and performances of a Ka-band power amplifier. The amplifier utilizes four fully-matched MMICs, in which 0.35μm-long gate GaAs-based heterojunction FETs are employed. The developed power MMIC amplifier delivered an output power of 1.0W at 28GHz. Same matching circuits with easy configuration are applicable for both input and output matching circuits by combining four fully-matched MMICs. The power amplifier demonstrated an output power of 3.0W and a power-added efficiency of 20.5%. The highest output power of 4.5W was achieved. The developed power amplifier also provides the highest CW output power of 3.0W over the bandwidth of 2GHz at Ka-band. |
| キーワード(和) | 準ミリ波 / Ka帯 / 高出力増幅器 / MMIC / 分布定数 |
| キーワード(英) | Quasi-millimeter-wave / Ka-band / power amplifier / MMIC / distributed |
| 資料番号 | ED99-212 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/11/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 完全整合MMIC合成による広帯域Ka帯4W電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A CW 4 Watt Ka-Band Power Amplifier Utilizing MMIC Multi-Chip Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 準ミリ波 / Quasi-millimeter-wave |
| キーワード(2)（和/英） | Ka帯 / Ka-band |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(5)（和/英） | 分布定数 / distributed |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松永 高治 / K. Matsunaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 郁雄 / I. Miura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 直高 / N. Iwata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation. |
| 発表年月日 | 1999/11/18 |
| 資料番号 | ED99-212 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 440 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |