| 講演名 | 1999/11/18 Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発 岩永 順子, 田邊 充, 宮辻 和郎, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | i層部分に半絶縁性基板を用いたP-Semi-Insulator-N(P-SI-N)ダイオードスイッチを開発した。試作したP-SI-Nダイオード単体は30GHzで0.66dBの低損失の特性を得た。また、P-SI-Nダイオードと電源回路をコプレーナ線路で集積したSPDTスイッチICは、30GHzにおいて、挿入損失1.8dB、アイソレーション35dBという結果を得た。このP-SI-N構造はイオン注入法を用いた容易なプロセス技術で作製できるので低コストである。また、GaAs基板上に平坦に形成できるので、他の能動素子と容易に集積することができる。 |
| 抄録(英) | We report on lateral GaAs P-Semi-Insulator-N diode switches. The single P-Semi-Insulator-N structure showed the insertion loss of as low as 0.66 dB and the implemented SPDT switch that comprised the diodes exhibited the insertion loss of as low as l.8 dB and isolation of 35 dB at 30 GHz. The proposed P-Semi-Insulator-N structure was easily formed by ion-implant technique and makes it possible to integrate with any active devices. |
| キーワード(和) | ミリ波 / PINダイオード / スイッチ / SPDT / LMDS |
| キーワード(英) | Mm wave / PIN diode / switch / SPDT / LMDS |
| 資料番号 | ED99-211 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A LATERAL P-SI-N DIODE SPDT SWITCH FOR Ka-BAND APPLICATIONS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / Mm wave |
| キーワード(2)（和/英） | PINダイオード / PIN diode |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチ / switch |
| キーワード(4)（和/英） | SPDT / SPDT |
| キーワード(5)（和/英） | LMDS / LMDS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩永 順子 / Junko Sato-Iwanaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田邊 充 / Mitsuru Tanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮辻 和郎 / Kazuo Miyatsuji |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / Daisuke Ueda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1999/11/18 |
| 資料番号 | ED99-211 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 440 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |