講演名 | 1999/11/18 V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ 柏 卓夫, 加藤 隆幸, 石田 多華生, 石川 高英, 中山 喜萬, |
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抄録(和) | 同一回路構成においてドレイン注入およびレジスティブモードにおいて動作可能なモノリシックミクサについて述べる.回路設計は,印加される局部発振電力が大きくなる時に,ドレイン注入動作時およびレジスティブミクサ動作時双方の出力インピーダンスが近接すること,および入力インピーダンスが局部発振電力によってあまり変化しないことを利用している.試作したモノリシックミクサは60GHz帯において両モードにおいて良好な特性を確認した.ドレイン注入ミクサとして動作するときには,局部発振電力10dBm印加時にRF周波数61GHzにおいて変換利得3.7dB,雑音指数7.8dBが得られた.また,レジステイブミクサとして動作する時には局部発振電力5dBm印加時において変換損失7.7dB,局部発振電力OdBm印加時には雑音指数9.8dBが得られた. |
抄録(英) | This paper is the first report on a V-band dual-mode MMIC mixer that provides a drain injected mode and a resistive mode with the same MMIC design. This design allows the device's impedances of a drain injected mode and a resistive mode approach each other at a higher LO-power. The developed GaAs MMIC delivers excellent mixer performances in both modes at 60 GHz. It provides a 3.7 dB conversion gain and a 7.8 dB noise figure under 10 dBm LO power for the drain injection mode at a 61 GHz RF frequency, while providing a 7.7 dB conversion loss and a 9.8 dB noise figure under 0 dBm LO power for the resistive mode at a 60.6 GHz RF frequency. |
キーワード(和) | ドレイン注入 / レジスティブミクサ / デュアルモード / MMIC |
キーワード(英) | Drain injected / Resistive mixer / Dual-Mode / MMIC |
資料番号 | ED99-210 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1999/11/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A V-band Drain Injectcd/Resistive Dual-Mode Monolithic Mixer |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ドレイン注入 / Drain injected |
キーワード(2)(和/英) | レジスティブミクサ / Resistive mixer |
キーワード(3)(和/英) | デュアルモード / Dual-Mode |
キーワード(4)(和/英) | MMIC / MMIC |
第 1 著者 氏名(和/英) | 柏 卓夫 / Takuo KASHIWA |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部:大阪府立大学工学部電子物理工学科 High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Elcctric Corp.:Department of Electronics & Physics, College of Engineeing, Osaka Prefecture University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 加藤 隆幸 / Takayuki KATOH |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Elcctric Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 石田 多華生 / Takao ISHIDA |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Elcctric Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 石川 高英 / Takahide ISHIKAWA |
第 4 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High Frequecny & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Elcctric Corp. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 中山 喜萬 / Yoshikazu NAKAYAMA |
第 5 著者 所属(和/英) | 大阪府立大学工学部電子物理工学科 Department of Electronics & Physics, College of Engineeing, Osaka Prefecture University |
発表年月日 | 1999/11/18 |
資料番号 | ED99-210 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 440 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |