講演名 1999/11/18
フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
出口 忠義, 渡辺 健一, 川口 清, 中川 敦,
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抄録(和) 新構造のフリップチップガンダイオードとバラクターを窒化アルミニウム(AIN)基板上に実装したV帯プレーナー構造ガンVCOを開発したので、その特性について報告する。フリップチップ実装技術とペアチップのガンダイオードを用いることにより、ガンVCOの低コスト化が実現できる。VCOのチューニング幅は、中心周波数60.14GHzで450M止を越える値であり、発振出力は平均で34.8mW、その変動幅も0.15dB以下の小さい値を示した。位相雑音は100kHzの離調で-81.3dBc/Hzであった。ガンVCOの開発で最大の課題である熱抵抗の低減を図るため、AIN基板上に実装したガンダイオードを熱解析した。その結果、35.4℃/Wの熱抵抗が得られ、ダイアモンド放熱体に搭載されたものに匹敵した。
抄録(英) This paper presents the development of V-band planar Gunn VCO using no novel flip-chip GaAs Gunn diodes and varactors mounted on aluminum nitride (AIN) substrates. Due to using flip-chip bonding technology and unpackaged Gunn diodes, the Gunn Oscillator can be expected to realize low-cost mass production. A varactor tunable Gunn VCO shows a tuning range of over 450MHz at a center fiequency of 60.14GHz. The output power is on the average 34.8mW and shows a variation of less than 0.15dB. An excellent phase noise of -81,3dBc/Hz at 100kHz off carrier has been achieved. To overcome thermal limitations of the Gunn VCO, the thermal characteristics of flip-chip Gunn diodes mounted on AIN substrates have been calculated. We obtain the maximum thermal resistance of 35.4℃/W, which is comparable to a value from a conventional Gunn diode mounted on a diamond heat sink.
キーワード(和) フリップチップ / ガンダイオード / ミリ波 / AIN / 熱設計 / VCO
キーワード(英) flip-chip / Gunn diode / millimeter-wave / AIN / thermal design / VCO
資料番号 ED99-209
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1999/11/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
サブタイトル(和)
タイトル(英) V-Band Planar Gunn VCOs on AIN Substrates Using Flip-Chip Bonding Technology
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フリップチップ / flip-chip
キーワード(2)(和/英) ガンダイオード / Gunn diode
キーワード(3)(和/英) ミリ波 / millimeter-wave
キーワード(4)(和/英) AIN / AIN
キーワード(5)(和/英) 熱設計 / thermal design
キーワード(6)(和/英) VCO / VCO
第 1 著者 氏名(和/英) 出口 忠義 / Tadayoshi Deguchi
第 1 著者 所属(和/英) 新日本無線株式会社研究所
Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 渡辺 健一 / Kenichi Watanabe
第 2 著者 所属(和/英) 新日本無線株式会社研究所
Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 川口 清 / Kiyoshi Kawaguchi
第 3 著者 所属(和/英) 新日本無線株式会社研究所
Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 中川 敦 / Atsushi Nakagawa
第 4 著者 所属(和/英) 新日本無線株式会社研究所
Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd.
発表年月日 1999/11/18
資料番号 ED99-209
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 440
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日