| 講演名 | 1999/10/22 GaNの選択成長及び横方向成長 平松 和政, |
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| 抄録(和) | 減圧MOVPE法及び常圧HVPE法でWマスクを用いたGaNの選択成長及び横方向成長(ELO)を行った。MOVPE法による成長では2段階のELOを行うことにより、Wの埋め込み構造を実現できた。また、HVPE法により成長させたELO GaNの結晶性と光学的特性をX線回折とカソードルミネッセンス(CL)により評価したところ、c軸の揺らぎが小さく、均一な束縛励起子発光が得られた。このことからWマスクを用いたELO GaNはSiO_2マスクを用いたELO GaNと比較して、結晶性が優れていることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | ELO GaN using W mask has been performed by low pressure MOVPE and atmospheric HVPE. For the growth by low pressure MOVPE, the W buried structure is successfully obtained by two step ELO technique. Crystal and optical properties of ELO GaN using W mask via HVPE have been characterized by X-ray diffraction and cathodoluminescence. The tilts of c-axis of ELO GaN using W mask is much smaller than that of ELO GaN using SiO_2 mask. Uniform bound excitonic emission is observed from ELO GaN using W mask. It is found that the quality of ELO GaN using W mask is much better than that of ELO GaN using SiO_2 mask. |
| キーワード(和) | GaN / 選択成長 / 横方向成長(ELO) / タングステン / MOVPE / HVPE / CL |
| キーワード(英) | GaN / selective area growth / epitaxial lateral overgrowth (ELO) / tungsten / MOVPE / HVPE / CL |
| 資料番号 | ED99-198 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/10/22(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNの選択成長及び横方向成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective Area Growth and Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(3)（和/英） | 横方向成長(ELO) / epitaxial lateral overgrowth (ELO) |
| キーワード(4)（和/英） | タングステン / tungsten |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(7)（和/英） | CL / CL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 発表年月日 | 1999/10/22 |
| 資料番号 | ED99-198 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 377 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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