| 講演名 | 1999/12/2 EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証 島村 俊重, 道関 隆国, 品川 満, 山田 順三, |
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| 抄録(和) | LSIの高速化により,電子機器のEMC対策が困難になってきている。LSIからの不要輻射は,主に電源電流に起因するため,これを防ぐためには,電源電圧を下げることが効果的である。したがって,極低電圧回路は,イミュニティーの問題を解決できれば,EMC対策を大きく軽減できる。本報告では,我々が極低電圧回路として提案しているSub-1V MTCMOS/SIMOX回路,および,従来のCMOS回路のEMC耐性について述べる。特に,EOハンディープローブを用いたEMC耐性解析を通して,LSIの誤動作メカニズムを解明するとともに,MTCMOS/SIMOX回路の高いEMC耐性を実証する。 |
| 抄録(英) | The increase of LSI operation speeds makes EMC (Electro-Magnetic Compatibility) problems (EM field emission and immunity) serious in electronic equipment. Since the emission from LSIs is normally dominated by power supply current, lowering power supply voltage is the most effective way to reduce it. That is, the ultra-low voltage circuits with EM field immunity design can overcome EMC problems. In this paper, we show the EMC performance of sub-1V multi-threshold CMOS/SIMOX (MTCMOS/SIMOX) circuits that we have proposed. From an EMC analysis with an EO high-impedance probe, we clarify the mechanism of LSI failure. We also demonstrate EM field immunity of MTCMOS circuits. |
| キーワード(和) | EMC(電磁環境両立性) / 極低電圧 / Multi-Threshold CMOS (MTCMOS)回路 / EOハンディープローブ |
| キーワード(英) | EMC / ultra-low voltage / multi-threshold CMOS (MTCMOS) circuit / EO highimpedance probe |
| 資料番号 | CPM99-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/12/2(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | EMC Analysis of Ultra-low Voltage CMOS circuits with EO High-impedance Probe. : Demonstration of EM field immune Sub-1V MTCMOS/SIMOX Circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | EMC(電磁環境両立性) / EMC |
| キーワード(2)（和/英） | 極低電圧 / ultra-low voltage |
| キーワード(3)（和/英） | Multi-Threshold CMOS (MTCMOS)回路 / multi-threshold CMOS (MTCMOS) circuit |
| キーワード(4)（和/英） | EOハンディープローブ / EO highimpedance probe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 島村 俊重 / T. Shimamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 道関 隆国 / T. Douseki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 品川 満 / M. Shinagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 順三 / J. Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 発表年月日 | 1999/12/2 |
| 資料番号 | CPM99-127 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 483 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |