| 講演名 | 1999/10/21 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製 新井 俊希, 原田 恵充, 飛田 洋, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | コレクタ層下部に局所的に埋め込まれた金属をコレクタ電極として持ちいる、金属埋め込みGaInAs/InP系へテロ接合バイポーラトランジスタを作製するためのプロセス開発を行った。OMVPE法によるタングステンストライプの埋め込み成長では、成長温度600℃、V/III比460、成長レート28nm/minにおいて、幅1μmのタングステンが厚さ1.1μmのInPにより埋め込まれた。タングステンの高密度・極微細化では、新たに考案したステンシルリフトオフ法により、周期140nmのタングステン電極が作製された。埋め込まれたタングステンが電極として動作することを確認する目的で、タングステンメッシュを埋め込んだエミッタメサ面積50×50μm^2のHBTを作製し、直流動作において電流利得12が観測された。 |
| 抄録(英) | This paper reports the fabrication process of buried metal heterojunction bipolar transistor, in which buried metal works as a schottky collector electrode and can reduce the total base-collector capacitance. In buried growth using OMVPF, 1μm wide tungsten stripes were buried by a 1.1μm thick InP layer under 600℃ as a growth temperature, 460 as a V/III ratio and 28 nm/min as a growth rate. In the nano-fabrication of tungsten, 140 nm pitch tungsten electrodes were fabricated by novel metal-stencil liftoff. To show the transistor operation of the device with the same epitaxial layers of BM-HBT, we fabricated an InP-based HBT with buried tungsten mesh replacing the subcollector layer. 12 as a current gain was measured from the common-emitter collector I-V characteristics. |
| キーワード(和) | BM-HBT / GaInAs/InP HBT / 埋め込み成長 / OMVPE / 金属ステンシルリフトオフ / タングステン |
| キーワード(英) | BM-HBT / GaInAs/InP HBT / Buried growth / OMVPE / Metal-stencil liftoff / Tungsten |
| 資料番号 | CPM99-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of HBT with buried tungsten mesh used as a collector electrode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BM-HBT / BM-HBT |
| キーワード(2)（和/英） | GaInAs/InP HBT / GaInAs/InP HBT |
| キーワード(3)（和/英） | 埋め込み成長 / Buried growth |
| キーワード(4)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 金属ステンシルリフトオフ / Metal-stencil liftoff |
| キーワード(6)（和/英） | タングステン / Tungsten |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新井 俊希 / T. Arai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原田 恵充 / Y. Harada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飛田 洋 / H. Tobita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Y. Miyamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / K. Furuya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/10/21 |
| 資料番号 | CPM99-107 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 378 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |