| 講演名 | 1999/10/21 HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定 加藤 正史, 市村 正也, 荒井 英輔, 増田 泰一, 陳 義, 西野 茂弘, |
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| 抄録(和) | HMDS(ヘキサメチルジシラン(Si_2(CH_3)_6))ガスを用いn型Si(100)基板上にn型3C-SiCをヘテロエピタキシャル成長させ、その3C-SiC試料の電気的欠陥を容量DLTS法によって評価した。ここで試料は成長時間を変えることで、様々な膜厚に成長させてある。様々な膜厚の試料を評価することによって膜厚と電気的欠陥の相関性を調査した。その結果、膜厚が薄い試料は幅広いエネルギー準位に欠陥が存在することがわかったが、ある程度膜厚が厚くなると活性化エネルギーが約0.25eVの単一の欠陥のみになることがわかった。これはシラン、プロパン系のガスで成長させた3C-SiCで見られる欠陥よりわずかに浅い準位に位置する。 |
| 抄録(英) | n-type 3C-SiC was heteroepitaxially grown on n-type Si(100) substrates using HMDS (Hexamethyldisilane). In order to investigate relation of electronic defects with epilayer thickness, epilayers with various thickness were grown. Then we carried out DLTS measurement. As a result of their measurements, relatively thin epilayers showed many defects having activation energies distributed in a wide range, and relatively thick epilayers showed a defect having activation energy of 0.25eV. This defect level is slightly shallower than that in 3C-SiC grown by SiH_4 and C_3H_8. |
| キーワード(和) | HMDS / 3C-SiC / DLTS / 膜厚 / 電気的欠陥 |
| キーワード(英) | HMDS / 3C-SiC / DLTS / epilayer thickness / electronic defect |
| 資料番号 | CPM99-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deep level observation in 3C-SiC grown on Si using HMDS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HMDS / HMDS |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(4)（和/英） | 膜厚 / epilayer thickness |
| キーワード(5)（和/英） | 電気的欠陥 / electronic defect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / M. Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst. Tech. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst. Tech. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / E. Arai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst. Tech. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増田 泰一 / Y. Masuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 Kyoto Inst. Tech. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 陳 義 / Y. Chen |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 Kyoto Inst. Tech. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 西野 茂弘 / S. Nishino |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 Kyoto Inst. Tech. |
| 発表年月日 | 1999/10/21 |
| 資料番号 | CPM99-106 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 378 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |