| 講演名 | 1999/10/15 有機ケイ素化合物を用いた減圧CVD法によるAlN上SiCのエピタキシャル成長 朝田 邦夫, 前田 智彦, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | 水素希釈したモノメチルシランを用い、減圧CVD法によりAIN基板上にSiC膜をエピタキシャル成長させた。反応時圧力と原料ガス供給タイミングを変えてSiC成長を行い、SiC膜の結晶性・配向性および表面モフォロジーを調べた。サーマルクリーニング後、高温下で原料ガスを供給し圧力1Torrでエピタキシャル成長させた膜において結晶性および配向性が良好となることが分かった。AFMを用いて評価した表面モフォロジーも同様の結果が得られた。 |
| 抄録(英) | SiC epitaxial films were grown on AIN substrates by low pressure CVD using monomethylsilane diluted with hydrogen as the source gas. The crystallinity and the surface morphology of SiC films were estimated by x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), respectively. The supply of source gas at epitaxial growth temperature after thermal cleaning of substrates was suited for obtaining SiC films having excellent crystallinity, crystal orientation and surface morphology. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / エピタキシャル成長 / 減圧CVD / モノメチルシラン |
| キーワード(英) | silicon carbide / epitaxial growth / low pressure CVD / monomethylsilane |
| 資料番号 | CPM99-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機ケイ素化合物を用いた減圧CVD法によるAlN上SiCのエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fpitaxial Growth of SiC Films on AlN by Low Pressure CVD Using Organosilicon Compound |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | 減圧CVD / low pressure CVD |
| キーワード(4)（和/英） | モノメチルシラン / monomethylsilane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 朝田 邦夫 / Kunio ASADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 智彦 / Tomohiko MAEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi( AKAHANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 1999/10/15 |
| 資料番号 | CPM99-101 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 361 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |