| 講演名 | 1999/11/11 半導体膜/圧電体基板構造を用いたSAWデバイスの開発 後藤 広将, 綱嶋 正通, 菅野 康人, 久世 直洋, 山之内 和彦, |
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| 抄録(和) | 圧電体基板上に半導体薄膜を結晶成長させた構造を用いることで、新しい機能をもったSAWデバイスを創出することを検討している。筆者らは分子線エピタキシー法を用いて、半導体薄膜の高結晶性成長の方法を検討し、低温成長や半導体バッファ層を用いることで半導体薄膜の膜質の改善を試みた。また、半導体薄膜/圧電体基板構造を用いたデバイス応用としてSAW増幅器、SAWコンボルバの試作を行い、SAWと半導体のカップリングを利用した新機能素子の可能性を示した。 |
| 抄録(英) | We have tried to make the new functional SAW devices using semiconductor/piezoelectric structures. Molecular beam epitaxy method can grow high quality semiconductor films on piezoelectric substrates using low temperature growth and semiconductor buffer layer. Using the Semiconductor/piezoelectric structures, we tried to make the SAW amplifier and SAW convolver as device application, and showed that we could obtain the new functional device by using coupling between SAW and semiconductor's carrier |
| キーワード(和) | SAWデバイス / SAW増幅器 / コンボルバ / 半導体薄膜 / 半導体バッファ層 |
| キーワード(英) | SAW device / SAW amplifier / convolver / semiconductor film / semiconductor buffer layer |
| 資料番号 | US99-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
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| 開催期間 | 1999/11/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Ultrasonics (US) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体膜/圧電体基板構造を用いたSAWデバイスの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of surface acoustic wave devices using semiconductor/piezoelectric structures. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SAWデバイス / SAW device |
| キーワード(2)（和/英） | SAW増幅器 / SAW amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | コンボルバ / convolver |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体薄膜 / semiconductor film |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体バッファ層 / semiconductor buffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 広将 / Hiromasa Goto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 旭化成工業株式会社中央技術研究所第一研究部 Central Research Laboratory, Asahi Chemical Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 綱嶋 正通 / Masamichi Tsunashima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 旭化成工業株式会社中央技術研究所第一研究部 Central Research Laboratory, Asahi Chemical Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菅野 康人 / Yasuhito Kanno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 旭化成工業株式会社中央技術研究所第一研究部 Central Research Laboratory, Asahi Chemical Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 久世 直洋 / Naohiro Kuze |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 旭化成工業株式会社中央技術研究所第一研究部 Central Research Laboratory, Asahi Chemical Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山之内 和彦 / Kazuhiko Yamanouchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北工業大学工学部 Tohoku Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/11/11 |
| 資料番号 | US99-61 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 422 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |