講演名 1999/10/29
アンチドットを形成したYBCO薄膜における超伝導電流分布の観測
本 昭宏, 山下 将嗣, 鋪田 和夫, 西條 人司, 斗内 政吉, 萩行 正憲,
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抄録(和) テラヘルツ電磁波イメージングによりアンチドットを形成したYBCO薄膜における超伝導電流分布を観測した。直径2μmのアンチドットを、膜厚100nm、幅120μmのYBCO薄膜に点間4∼12μmでArイオンミリングを用いて作成した。超伝導電流分布の、バイアス電流0∼460mAによる依存性、0.9mT磁場下、印加磁場0.9mTと25mTでの残留磁化状態における温度依存性を観測し、ストリップラインとアンチドット形成部とを比較した。アンチドット形成部における超伝導電流分布はストリップラインよりもエッジ近くまで広がり、侵入磁束密度はドット間距離に強い影響を受ける事が観測された。また、温度依存性についてもストリップラインとアンチドット形成部とで分布に著しい差があった。
抄録(英) We studied the supercurrent distribution in antidot-formed YBCO thin film strips by means of terahertz radiation imaging excited with a femtosecond laser. Antidots with a diameter of 2 μm were fabricated by Ar ion milling at an interval of 4∼12 μm on 100-nm-thick and 120-nm-wide YBCO thin film strips. We observed the supercurrent distribution images in the strip at bias currents between 0 and 460 mA, under the magnetic field between 0.9 and 25 mT, or in the remanent state at various temperatures, and compared them with the distributions in the strip without the antidots. The results indicate that the supercurrent in the antidot-formed strips distributes broader near the edges than that in the strip without the antidots, the vortex penetration from the edges strongly depends on the interval, the temperature dependence of the distribution remarkably differs from that in the strip without the antidots, and so on.
キーワード(和) テラヘルツ電磁波イメージング / アンチドット / YBCO薄膜
キーワード(英) Terahertz radiation imaging / Antidots / YBCO thin film
資料番号 SCE99-23
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1999/10/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) アンチドットを形成したYBCO薄膜における超伝導電流分布の観測
サブタイトル(和)
タイトル(英) Observation of Supercurrent Distribution in Antidot-Formed YBCO Thin Film Strips
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ電磁波イメージング / Terahertz radiation imaging
キーワード(2)(和/英) アンチドット / Antidots
キーワード(3)(和/英) YBCO薄膜 / YBCO thin film
第 1 著者 氏名(和/英) 本 昭宏 / A. MOTO
第 1 著者 所属(和/英) 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
Res. Ctr. Supercond. Mat. And Electron., Osaka University
第 2 著者 氏名(和/英) 山下 将嗣 / M. YAMASHITA
第 2 著者 所属(和/英) 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
Res. Ctr. Supercond. Mat. And Electron., Osaka University
第 3 著者 氏名(和/英) 鋪田 和夫 / K. SHIKITA
第 3 著者 所属(和/英) 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
Res. Ctr. Supercond. Mat. And Electron., Osaka University
第 4 著者 氏名(和/英) 西條 人司 / H. SAIJO
第 4 著者 所属(和/英) 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
Res. Ctr. Supercond. Mat. And Electron., Osaka University
第 5 著者 氏名(和/英) 斗内 政吉 / M. TONOUCHI
第 5 著者 所属(和/英) 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター:科学技術振興事業団さきがけ研究21
Res. Ctr. Supercond. Mat. And Electron., Osaka University:PRESTO, Japan Science and Technology Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 萩行 正憲 / M. HANGYO
第 6 著者 所属(和/英) 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
Res. Ctr. Supercond. Mat. And Electron., Osaka University
発表年月日 1999/10/29
資料番号 SCE99-23
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 408
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日