講演名 1999/10/29
磁場中における高温超伝導SQUID磁束計の動作特性
小山 洋, 平野 悟, 横澤 宏一, 松田 瑞史, 栗城 眞也,
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抄録(和) YBa_2Cu_3O_<7-x>(YBCO)薄膜中への磁束トラップを抑制するためのスロットとホール構造を持つメッシュ状のSQUID磁束計を設計・試作した。また、遮蔽電流による磁束トラップを抑える目的で、検出コイルに弱結合(フラックスダム)を作り込んだ。メッシュを構成するYBCO膜の幅は5μmであるが、弱結合部の近傍では12μmの部分がある。素子を磁場中で冷却した場合、10μTを超えるとV-Φ特性に磁束シフトが起きたことから、10μTを閾値として磁束トラップが生じたと推定された。この閾値は弱結合部近傍の幅に対応する。フラックスダムが電圧状態になり検出コイル内に磁束が侵入しはじめる磁場は0.14μTであり、その時の推定臨界電流値は0.5mAであった。印加磁場に対するフラックスダムの臨界電流の変化を調べたところ、フラウンフォーファー的な特性を示し、電流値が極小となる磁場の値から印加磁束が弱結合部に集中する機構があると推測された。
抄録(英) In order to suppress the flux entry into YBa_2Cu_3O_<7-x> (YBCO) this film of dc SQUID, we have designed and fabricated SQUID magnetometers with a mesh structure having slots and holes. The magnetometer included flux dams within the pickup loop to suppress the flux entry by shielding current. Microstrips in the mesh structure have a width of 5 μm, but 12μm wide strips existed at the flux dam. In the field cooled case, we observed a flux sift caused by flux trapping in the V-Φ characteristics above 10μT. This threshold field agreed with that theoretically expected from the longest width of the YBCO film near the flux dam. When the applied field exceeded 0.14μT the flux dams opened and the flux entered into the pickup loop at an estimated critical current of 0.5mA. We observed that the critical current of the flux dams decreased with the applied field in a Fraunhofer pattern, where magnetic field enhancement at the weak link near the flux dam was suggested.
キーワード(和) SQUID磁束計 / V-Φ特性 / 磁束シフト / フラックスダム
キーワード(英) SQUID magnetometer / V-Φ characteristics / flux sift / flux dams
資料番号 SCE99-22
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1999/10/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 磁場中における高温超伝導SQUID磁束計の動作特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Characteristics of High-Tc SQUID magnetometer in static magnetic field
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SQUID磁束計 / SQUID magnetometer
キーワード(2)(和/英) V-Φ特性 / V-Φ characteristics
キーワード(3)(和/英) 磁束シフト / flux sift
キーワード(4)(和/英) フラックスダム / flux dams
第 1 著者 氏名(和/英) 小山 洋 / H. Oyama
第 1 著者 所属(和/英) 北海道大学電子科学研究所
Research Institute for Electronic Science Hokkaido University
第 2 著者 氏名(和/英) 平野 悟 / S. Hirano
第 2 著者 所属(和/英) 北海道大学電子科学研究所
Research Institute for Electronic Science Hokkaido University
第 3 著者 氏名(和/英) 横澤 宏一 / K. Yokosawa
第 3 著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 松田 瑞史 / M. Matsuda
第 4 著者 所属(和/英) 室蘭工業大学
Muroran Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 栗城 眞也 / S. Kuriki
第 5 著者 所属(和/英) 北海道大学電子科学研究所
Research Institute for Electronic Science Hokkaido University
発表年月日 1999/10/29
資料番号 SCE99-22
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 408
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日