| 講演名 | 2000/1/21 埋め込みpゲートを持つデジタル無線通信用ヘテロFETの開発 中村 光宏, 和田 伸一, 阿部 雅美, / 長谷 伊知郎, |
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| 抄録(和) | デジタル無線通信用パワーアンプとして埋め込みp型ゲートを持ち、且つAlGaAs / InGaAs / AlGaAsのヘテロ構造を持った電界効果トランジスタ(p-Gate HFET)を開発した。埋め込みp型ゲートはZnの拡散技術を用いて形成した。ゲート長0.8μm、閾値電圧0Vのp-Gate HFETの特性は、ゲート立ちあがり電圧1.5Vを示し、低オン抵抗である1.6Ωmm、相互コンダクタンス420mS / mmを得た。ゲート幅2mmのデバイスに1.88GHzのナローバンドCDMA信号を入力しパワー特性を評価した所、単一正電源動作の元、隣接チャネル漏洩電力-48.8dBc / 30KHzの時に出力22.1dBm、効率50.4%を得た。 |
| 抄録(英) | A buried p^+-AlGaAs gate AlGaAs / InGaAs / AlGaAs double heterojunction FET has been developed for power amplifiers of advanced wireless communication handsets. The buried p^+-AlGaAs gate was formed by Zn diffusion technique. A low on-resistance of 1.6Ωmm and a high pate built-in voltage of 1.5V with a maximum transcondutance of 420mS / mm were realized for a 0.8μm gate device. An output power of 22.1dBm, an ACPR of -48.8dBc / 30KHz and an efficiency of 50.4% were obtained under 1.9GHz narrow band CDMA signal excitation and positive gate bias operation. |
| キーワード(和) | ヘテロ接合FET / p型ゲート / パワーアンプ |
| キーワード(英) | Hetero FET / p-gate / Power Amplifier |
| 資料番号 | ED99-287,MW99-211,ICD99-262 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 埋め込みpゲートを持つデジタル無線通信用ヘテロFETの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Buried p-Gate Heterojunction Field Effect Transistor for Digital Wireless Communication Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロ接合FET / Hetero FET |
| キーワード(2)（和/英） | p型ゲート / p-gate |
| キーワード(3)（和/英） | パワーアンプ / Power Amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 光宏 / Mitsuhiro Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムLSI事業部門、ミックスシグナル事業部 Sony Corporation Core Technology & Network Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和田 伸一 / Shinichi Wada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムLSI事業部門、ミックスシグナル事業部 Sony Corporation Core Technology & Network Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阿部 雅美 / Masayoshi Abe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムLSI事業部門、ミックスシグナル事業部 Sony Corporation Core Technology & Network Company |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / 長谷 伊知郎 / Hidetoshi Kawasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | / ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムLSI事業部門、ミックスシグナル事業部 Sony Corporation Core Technology & Network Company |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-287,MW99-211,ICD99-262 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 558 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |