| 講演名 | 2000/2/10 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価 佐藤 威友, 葛西 誠也, 岡田 浩, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | ナノショットキー接触界面の電気的特性を、理論的および実験的立場から検討した。計算機シミュレーションの結果から、ナノショットキー界面直下のポテンシャル形状は電極周囲の影響を強く受け、電流輸送特性は、マクロなショットキー接触とは異なる熱電子放出電流特性を示すことが明らかとなった。このような周囲の影響は、半導体自由表面のフェルミ準位のピンニング現象に起因し、電極サイズが減少するほど顕著になる。一方、電気化学プロセスを用いて作製したナノショットキー接触の電気的特性を導電性AFMで評価した結果、電流-電圧特性はシミュレーション結果と良く一致し、周囲のフェルミ準位のピンニングがナノショットキー接触の電流輸送に大きな影響を与えることがわかった。 |
| 抄録(英) | The current transport characteristics of nanometer-sized Schottky contacts were investigated from theoretical and experimental viewpoints. A theoretical calculation of the 3D potential distributions has shown that the potential shape underneath the nano-Schottky contacts is greatly modified by the surface Fermi level pinning on the air exposed free surfaces. This leads to non-linear log I-V characteristics which are different from a standard thermionic emission characteristics obtained on the macro-Shottky contacts. On the other hand, the Pt nano-particles were selectively formed using the in situ electrochemical process, their I-V measurements were made using an conductive AFM system. The log I-V curves of the nano-Schottky contacts showed non-linear characteristics and could be very well explained by the theoretical I-V curves considering the"environmental"Fermi level pinning. |
| キーワード(和) | 電気化学プロセス / ナノショットキー接触 / Pt / InP / GaAs / AFM / I-V |
| キーワード(英) | electrochemical process / nano-Schottky contact / Pt / InP / GaAs / AFM / I-V |
| 資料番号 | ED99-317, SDM99-210 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/2/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterizarion on Nano-Schottky Contacts Fabricated Using the Electrochemical Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気化学プロセス / electrochemical process |
| キーワード(2)（和/英） | ナノショットキー接触 / nano-Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | Pt / Pt |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(6)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(7)（和/英） | I-V / I-V |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻:北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻:北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻:北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻:北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2000/2/10 |
| 資料番号 | ED99-317, SDM99-210 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 616 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |