| 講演名 | 2000/2/9 微細MOSFET中のキャリア伝導 川浦 久雄, 阪本 利司, 馬場 寿夫, |
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| 抄録(和) | 10nmレベルのリソグラフィー技術をベースとしたテストデバイスを用いて、デカナノメートル以下の超微細MOSFETにおけるキャリア伝導特性を実験的に評価した。チャネル長25nm以下の領域では、十分なエネルギー緩和を経ずチャネルを走行するホットエレクトロンが顕著になることがわかった。10nm以下の領域では、ソース中の電子がトンネル効果により直接ドレインに達することが可能になり、サブスレッショルド係数を悪化させることもわかった。特に5nm以下では室温においてもトンネリング電流が顕著になり、ロジックLSIの低電圧・低消費電力駆動の大きな障害になることも示した。 |
| 抄録(英) | We have characterized carrier transport in MOSFETs below the deca-nanometer scale using ultrasmall test-devices based on 10-nm-level lithography.We directly detected hot electrons that run across the channel without sufficient energy-relaxation, and estimated the relaxation-length to be around 25 nm.At the channel length below 10 nm electrons in the source directly tunneled to the drain, causing the degradation of the subthreshold swing.We also showed that the direct tunneling current will exceed the thermal current and will become detrimental to low-voltage / power operation of logic LSIs below 5-nm generations. |
| キーワード(和) | シリコン / ホットエレクトロン / トンネリング / サブスレッショルド係数 |
| キーワード(英) | silicon / hot electron / tunneling / subthreshold swing |
| 資料番号 | ED99-300,SDM99-193 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微細MOSFET中のキャリア伝導 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier Transport in Ultrasmall MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | ホットエレクトロン / hot electron |
| キーワード(3)（和/英） | トンネリング / tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | サブスレッショルド係数 / subthreshold swing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川浦 久雄 / Hisao Kawaura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC基礎研究所 Fundamental Research Labs., NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阪本 利司 / Toshitsugu Sakamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC基礎研究所 Fundamental Research Labs., NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 馬場 寿夫 / Toshio Baba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC基礎研究所 Fundamental Research Labs., NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-300,SDM99-193 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 615 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |