| 講演名 | 2000/2/9 シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価 小野 行徳, 高橋 庸夫, 山崎 謙治, 永瀬 雅夫, 生津 英夫, 栗原 健二, 村瀬 克実, |
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| 抄録(和) | 単電子論理回路の集積化に適した単電子トランジスタ(SET)の作製手法、および、この手法を実際の論理回路作製に適用した結果を示す。本手法は、SOI基板上に二つの等価なSETを極めて狭い領域に作製することを可能にするものであり、我々はこれをVertical Pattern-Dependent Oxidation(V-PADOX)法と呼んでいる。この手法により形成される二つのSETを利用して、CMOS型単電子論理の基本回路である、相補型インバーターを作製した。回路は極めて小面積で、1トランジスタの占有面積は、100nm×100nmである。本回路において、電圧入出力としての信号の反転動作を確認するとともに、1を越える電圧利得を達成した。 |
| 抄録(英) | A method of fabricating logic-IC-oriented single-electron transistors(SETs), and its application to the fabrication of logic circuits are presented.The method, which we call vertical pattern-dependent oxidation(V-PADOX), enables the formation of twin SETs in a tiny area on a silicon-on-insulator substrate.By using the twin SETs, a complementary single-electron inverter, an elemental circuit for single-electron CMOS-type logic, is fabricated.The circuit occupies a very small area:100 x 100 nm for each SET.We demonstrated, at 27 K, input-output transfer with a voltage gain larger than unity and inversion operation for input voltage signals. |
| キーワード(和) | 単電子トンネリング / クーロンブロッケード / SOI / インバーター / 酸化 |
| キーワード(英) | single electron tunneling / Coulomb blockade / SOI / inverter / oxidation |
| 資料番号 | ED99-298,SDM99-191 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si complementary single-electron inverter : Fabrication using V-PADOX and measurements of its characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トンネリング / single electron tunneling |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | インバーター / inverter |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野 行徳 / Y. Ono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Y. Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山崎 謙治 / K. Yamazaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永瀬 雅夫 / M. Nagase |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 生津 英夫 / H. Namatsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 栗原 健二 / K. Kurihara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 村瀬 克実 / K. Murase |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-298,SDM99-191 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 615 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |