| 講演名 | 2000/2/9 Siドット薄膜トランジスタメモリ 野本 和正, / 野口 隆, 碓井 節夫, 森 芳文, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 低温poly-Si薄膜トランジスタのゲート酸化膜にSi微結晶(Siドット)アレイよりなる浮遊ゲートを有するメモリを作製した.基板として石英を用いたが, 全てのプロセスはガラス基板を用いることが可能な400°C以下で行われた.また, 低温でSi微結晶を作製する方法として, 350°C以下の温度でPECVD法により作製した化学量論的に過剰にSiを含むSi酸化膜にXeClエキシマレーザーを照射によるアニーリングを行うと, 過剰なSiが微結晶としてSi酸化膜化内に析出する方法を開発した.作製された素子は, ゲート電極に±20V、10msのパルス電位を加えることで±2V程度の閾値シフトを示した.データ保持時間は10~3s程度であり, 10~4回程度まで書き込み / 消去を繰り返しても閾値シフトの大きさは減少しなかった. |
| 抄録(英) | We fabricated a novel poly-Si thin-film-transistor based memory with a Si-nano-crystal(Si dot)floating gate.Although we employed a quartz as a substrate, all the fabrication process has been done at a substrate temperature below 400°C which is compatible with the use of a glass substrate.We have developed a method in which XeCl excimer laser annealing of a Si-rich oxide film induced a separation of stoichiometrically excess Si as Si-nano-crystals.A device showed threshold voltage shift of ±2 V with gate-voltage pulse of ±20 V, 10 ms.The data retention time was 10~3s and the threshold voltage shift did not decrease up to 10~4 write / erase cycles. |
| キーワード(和) | poly-Si / Si微結晶 / XeClエキシマレーザー / 薄膜トランジスタ / メモリ |
| キーワード(英) | poly-Si / Si-nano-crystal / XeCl excimer laser / thin film transistor / memory |
| 資料番号 | ED99-296,SDM99-189 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siドット薄膜トランジスタメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si Dot Thin-Film-Transistor Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | poly-Si / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | Si微結晶 / Si-nano-crystal |
| キーワード(3)（和/英） | XeClエキシマレーザー / XeCl excimer laser |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(5)（和/英） | メモリ / memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野本 和正 / Kazumasa Nomoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所 Frontier Science Laboratory, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 野口 隆 / Pal Gosain Dharam |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所 Frontier Science Laboratory, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 碓井 節夫 / Takashi Noguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所 Frontier Science Laboratory, Sony Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 芳文 / Setsuo Usui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所 Frontier Science Laboratory, Sony Corporation |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-296,SDM99-189 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 615 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |