| 講演名 | 2000/3/17 高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化 伏見 浩, 和田 一実, |
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| 抄録(和) | GaAs系HBTにおける劣化現象に関して、特に少数キャリア注入(デバイス動作)により定常的に形成される電子励起状態下での高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥の状態変化に関与した劣化機構を述べる。水素不純物に起因する通電劣化が荷電状態効果による水素・炭素結合の分解促進であることを、また、炭素関連欠陥に起因する通電劣化が再結合促進欠陥反応による格子間炭素の拡散促進であることを、それぞれ議論する。さらに、劣化過程の解析に有限の点欠陥濃度を仮定したモデルを提案し、その妥当性を示す。 |
| 抄録(英) | In this paper the degradation mechanism of HBTs is discussed, especially GaAs / AlGaAs HBTs with heavily carbon-doped base layer. Two types of the device degradation are revealed, i.e., hydrogen related degradation and carbon related degradation. Hydrogen precipitates and carbon precipitates are formed by charge state effect. |
| キーワード(和) | 炭素ドープGaAs / 水素 / 炭素関連欠陥 / 荷電状態効果 / 再結合促進欠陥反応 |
| キーワード(英) | C-doped GaAs / Hydrogen / C-related Defect / Charge State Effect / Reconbination Enhanced Defect Reaction |
| 資料番号 | R99-44,CPM99-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/3/17(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hydrogen and Carbon-related Defects in Heavily Carbon-doped GaAs Induced Degradation under Minority-carrier Injection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭素ドープGaAs / C-doped GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(3)（和/英） | 炭素関連欠陥 / C-related Defect |
| キーワード(4)（和/英） | 荷電状態効果 / Charge State Effect |
| キーワード(5)（和/英） | 再結合促進欠陥反応 / Reconbination Enhanced Defect Reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伏見 浩 / Hiroshi FUSHIMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和田 一実 / Kazumi WADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | マサチューセッツ工科大 Massachusetts Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/3/17 |
| 資料番号 | R99-44,CPM99-167 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 712 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |