| 講演名 | 2000/2/23 窒化物系共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作 豊浦 洋祐, 草部 一秀, 中村 進一, 杉原 大輔, 山田 隆之, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | 共振型受光素子は、受光感度の波長選択性と高い量子効率が期待される。ここではAlGaN系半導体を用いた共振型紫外線受光素子の理論解析を行い、量子効率の構造依存性や波長選択性に対する基礎的検討を行った。また、RFプラズマにより活性化した窒素ガスを原料とするRF分子線エピタキシー法を用いて、波長444nm及び377nmにおけるAlGaN系半導体多層膜反射鏡(DBR)を試作したところ、それぞれ95%と92%という高い反射率が得られた。 |
| 抄録(英) | The resonant cavity-enhanced photodetector(RCE-PD)is expected to have wavelength selectivity, high quantum efficiency and high speed characteristics. The photosensitivity characteristics of AlGaN based RCE-PD was theoretically investigated. The AlGaN distributed Bragg reflectors for at blue and UV region were grown by molecular beam epitaxy using RF-plasma excited nitrogen. Relatively high reflectivity of 95% and 92% was achieved at the wavelength of 444nm and 377nm, respectively. |
| キーワード(和) | 共振型受光素子 / 紫外線受光素子 / 量子効率 / 半導体多層膜反射鏡(DBR) / ガリウムナイトライド / アルミニウムナイトライド |
| キーワード(英) | resonance cavity-enhanced phtodetector / ultraviolet photodetector / quantum efficiency / distributed Bragg reflectors / GaN / AlN |
| 資料番号 | OFT99-54,OPE99-142 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT |
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| 開催期間 | 2000/2/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化物系共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Analysis of GaN Based Resonant Cavity-Enhanced UV-Photodetector and Fabrication of AlGaN DBR by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共振型受光素子 / resonance cavity-enhanced phtodetector |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外線受光素子 / ultraviolet photodetector |
| キーワード(3)（和/英） | 量子効率 / quantum efficiency |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体多層膜反射鏡(DBR) / distributed Bragg reflectors |
| キーワード(5)（和/英） | ガリウムナイトライド / GaN |
| キーワード(6)（和/英） | アルミニウムナイトライド / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 豊浦 洋祐 / Yosuke Toyoura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 草部 一秀 / Kazuhide Kusakabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 進一 / Shinichi Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉原 大輔 / Daisuke Sugihara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 隆之 / Takayuki Yamada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 2000/2/23 |
| 資料番号 | OFT99-54,OPE99-142 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 650 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |