| 講演名 | 1997/8/4 p型Si, Geのピエゾ抵抗効果 大村 八通, |
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| 抄録(和) | 応力・歪み有無の価電子帯構造を厳密に扱い、一定緩和時間近似で電気伝導度を計算しp型Si, Geピエゾ抵抗を求めた。一次および二次のピエゾ抵抗係数は実験をよく説明する。多谷構造のn型Si. Geのキャリア転送によるピエゾ抵抗と異なり、ピエゾ抵抗の大きさは各holeの移動度変化と同じオーダーの大きさでありキャリア濃度変化は数桁小さく、且つ応力の二乗に比例する。バンド端でのholeの状態密度の変化で説明する。 |
| 抄録(英) | The 1st- and 2nd-order piezoresistance coefficients which agree well with experimental ones have been obtained from conductivities calculated for p-type Si and Ge with and without stress, using the well-known sixfold valence band structure. The fractional mobility change for each hole is the same order of magnitude as piezoresistance, while the hole concentration change is several orders of magnitude smaller. These effects have been explained in terms of density-of-states changes near hole band edges. |
| キーワード(和) | ピエゾ抵抗効果 / p型Si / p型Ge / 価電子帯構造 / 応力センサ |
| キーワード(英) | piezoresistance effect / p-Si / p-Ge / valence band structure / strain sensor |
| 資料番号 | CPM97-52 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/8/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型Si, Geのピエゾ抵抗効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Piezoresistance Effects in p-Type Si and Ge |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ピエゾ抵抗効果 / piezoresistance effect |
| キーワード(2)（和/英） | p型Si / p-Si |
| キーワード(3)（和/英） | p型Ge / p-Ge |
| キーワード(4)（和/英） | 価電子帯構造 / valence band structure |
| キーワード(5)（和/英） | 応力センサ / strain sensor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大村 八通 / Y Ohmura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | いわき明星大学理工学部電子工学科 Dept. Electronic Engineering, Iwaki Meisei University |
| 発表年月日 | 1997/8/4 |
| 資料番号 | CPM97-52 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 220 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |