講演名 | 2005/9/19 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 園田 賢一郎, 鳴海 俊一, 谷沢 元昭, 石川 清志, 栄森 貴尚, 大路 譲, 倉田 英明, |
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抄録(和) | AG-AND型フラッシュメモリの書込み動作を表現するコンパクトモデルを提案する.同メモリでは高速書込みを実現するためにソースサイド注入書込み方式が採用されている.本モデルでは, ソースサイド注入の注入効率を決めるオフセット領域の電界を擬2次元モデルで計算することにより, 書込み動作の正確な回路シミュレーションを可能にする. |
抄録(英) | A compact model of source-side injection programming for AG-AND flash memory is presented. The lucky-electron model is used to formulate the hot electron injection current for programming. The lateral electric field is estimated using the pseudo-two-dimensional model considering the offset length between the assist-gate and the floating-gate. The proposed model is verified with device simulation and measurement results of 90nm-node AG-AND flash memory. |
キーワード(和) | AG-ANDフラッシュメモリ / ソースサイド注入 / 回路シミュレーション / コンパクトモデル |
キーワード(英) | AG-AND flash memory / source-side injection / circuit simulation / compact model |
資料番号 | VLD2005-40,SDM2005-159 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2005/9/19(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Compact Modeling of Source-Side Injection Programming for 90nm-Node AG-AND Flash Memory |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | AG-ANDフラッシュメモリ / AG-AND flash memory |
キーワード(2)(和/英) | ソースサイド注入 / source-side injection |
キーワード(3)(和/英) | 回路シミュレーション / circuit simulation |
キーワード(4)(和/英) | コンパクトモデル / compact model |
第 1 著者 氏名(和/英) | 園田 賢一郎 / Kenichiro SONODA |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 鳴海 俊一 / Shunichi NARUMI |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 谷沢 元昭 / Motoaki TANIZAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 石川 清志 / Kiyoshi ISHIKAWA |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 栄森 貴尚 / Takahisa EIMORI |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 大路 譲 / Yuzuru OHJI |
第 6 著者 所属(和/英) | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 倉田 英明 / Hideaki KURATA |
第 7 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
発表年月日 | 2005/9/19 |
資料番号 | VLD2005-40,SDM2005-159 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 307 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |