講演名 2005-09-08
FCBGAパッケージ基板の電気特性 : MLTSと従来ビルドアップ基板の比較(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
堺 淳, 中瀬 康一郎, 本多 広一, 井上 博文,
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抄録(和) 全層ビルドアップ基板である超高密度薄型基板(Multi-Layer Thin-Substrate : MLTS)の開発を行っている。今回、MLTSと従来ビルドアップ基板それぞれによるFCBGAパッケージの電気特性を解析し、比較した。その結果、信号伝送特性についてはMLTSの方が反射損失が約6dB以上小さく、周波数帯域は5倍以上拡大していた。電源/グランド特性については、MLTSの方がプレーンのインピーダンスがビルドアップ基板の1/3以下と小さく、また共振周波数が1.5倍以上高かった。これらの結果からMLTSが信号伝送特性、電源/グランド特性に優れ、高速FCBGAパッケージ基板として有用であることが分かる。
抄録(英) We developed an ultra-thin high-density packaging substrate, called an MLTS (multi-layer thin substrate), that consists only of build-up layers without a core laminate. We evaluated the signal integrity and power integrity properties of a flip-chip ball grid array (FCBGA) based on the MLTS, along with those of an identically functioning FCBGA based on conventional build-up printed wiring board (PWB). Our SI simulation showed that the return loss (S_<11>) of the MLTS was 6dB smaller than that of the PWB in the frequency range from 1 to 10GHz, and PI simulation showed that the power/GND plane impedance of MLTS is smaller than one third of that of build-up PWB. These results indicate that the MLTS has considerable advantages over a conventional build-up PWB, especially for operation in the GHz range.
キーワード(和) LSIパッケージ基板 / ビルドアップ基板 / 信号伝送特性 / 電源/グランド特性
キーワード(英) FCBGA / LSI packaging substrate / Build Up PWB / Signal Integrity / Power Integrity
資料番号 CPM2005-85,ICD2005-95
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2005/9/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) FCBGAパッケージ基板の電気特性 : MLTSと従来ビルドアップ基板の比較(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) The electrical characteristics of FCBGA packaging substrates : The comparison between MLTS and conventional build up substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) LSIパッケージ基板 / FCBGA
キーワード(2)(和/英) ビルドアップ基板 / LSI packaging substrate
キーワード(3)(和/英) 信号伝送特性 / Build Up PWB
キーワード(4)(和/英) 電源/グランド特性 / Signal Integrity
第 1 著者 氏名(和/英) 堺 淳 / Jun Sakai
第 1 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 中瀬 康一郎 / Koichiro Nakase
第 2 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 本多 広一 / Hirokazu Honda
第 3 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社
NEC Electronics corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 井上 博文 / Hirobumi Inoue
第 4 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
発表年月日 2005-09-08
資料番号 CPM2005-85,ICD2005-95
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 267
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日