| 講演名 | 2005-08-18 VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力)) 大藤 徹, 南雲 俊治, 横山 弘毅, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 基板バイアスを利用するVTCMOSに最適なデバイスとして、基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETを提案した。提案デバイスはきわめて薄い埋め込み酸化膜と低不純物濃度基板を有するSOI基板を使用し、埋め込み酸化膜直下の基板空乏層の伸縮により基板バイアス係数を変調する。提案デバイスの長/短チャネル特性評価をシミュレーションと実測により行い、高速動作と低消費電力を両立できVTCMOSに有効であることを示した。 |
| 抄録(英) | A variable body-factor Fully-Depleted (FD) SOI MOSFET is proposed as an optimum device for Variable threshold-voltage (VT) CMOS. The proposed device utilizes an SOI substrate with thin buried-oxide (BOX) and low impurity substrate concentration, and the body-factor can be widely changed using the modulation of depletion layer under the BOX. We show that the proposed scheme has advantages in VTCMOS both in the long and short channel region by the device simulations and measurements. |
| キーワード(和) | 完全空乏型SOI MOSFET |
| キーワード(英) | VTCMOS / Back-bias / Fully-Depleted SOI MOSFET / body factor |
| 資料番号 | SDM2005-134,ICD2005-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2005/8/11(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Variable body-factor FD SOI MOSFET for VTCMOS applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 完全空乏型SOI MOSFET / VTCMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大藤 徹 / Tetsu OHTOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 南雲 俊治 / Toshiharu NAGUMO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横山 弘毅 / Kouki YOKOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:中央大学 Institute of Industrial Science, University of Tokyo:Chuo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2005-08-18 |
| 資料番号 | SDM2005-134,ICD2005-73 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |