| 講演名 | 2005-08-18 サブ45nm時代に向けて、SOI基板技術の現状と展望(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力)) 吉見 信, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The current status and future prospect of SOI wafer technology are reviewed. MPUs, low-power, high voltage applications are the major areas where SOI wafers are used for real production. Strained-SOI, combination of strain and hybrid crystal orientation technology, etc., are providing promising technology options for 45nm-node and beyond. It is expected that the process flexibility of SOI wafer bonding technology will play an important role in realizing future high-performance CMOS. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2005-132,ICD2005-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/8/11(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サブ45nm時代に向けて、SOI基板技術の現状と展望(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Current Status and Future Prospect of SOI Wafer Technology toward sub-45nm Era |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉見 信 / Makoto Yoshimi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | SOITEC Asia株式会社 SOITEC Asia, Inc. |
| 発表年月日 | 2005-08-18 |
| 資料番号 | SDM2005-132,ICD2005-71 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 232 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |