講演名 | 2005/7/1 CoPt/Ruパターンド膜の磁化機構と熱安定性(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展) 島津 武仁, 三塚 要, 村岡 裕明, /, |
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抄録(和) | CoPt/Ruパターンド膜(膜厚20nm、ドット直径D=80~245nm)をレーザー干渉法により作成し、磁化機構とパターン媒体への応用について議論した。Dの低下にともないドットの残留保磁力は増加し、7.6kOe(D=80nm)に達した。D=140, 245nmの各ドットのニュークリエーション径は30nm程度と推定され、ドット体積の約5%以下であるが、MFM観察の結果ではドット径に依らずドットは全て単磁区であった。ドット中央部に磁化回転によるニュークリエーションが生じ、瞬時にドット全体に反転が広がっているものと推察された。スイッチング磁界分散SFDは、ドット径の低下にともない単調に低下した。SFDの大きさはc軸の角度分散とドット径分散に関係していると考えられるが、SFDの膜厚依存性についてはさらなる検討が必要である。 |
抄録(英) | Dot arrays with diameter D=80-245nm are made of Co_<80>Pt_<20> (20nm) films with a large perpendicular anisotropy energy. Coercive force increases as the D decrease, and shows 7.6kOe at D=80nm. The switching volume for the array of D=140nm dots was estimated to be about 1.6×10^4nm^3, which was only about 5% of the dot volume. However, the MFM images revealed that all dots show single domain state during the magnetization reversal. It is likely that the reversal process starts from a nucleation at the center of the dot followed by propagation process. Moreover, the change in the switching field distribution as a function of D was discussed. |
キーワード(和) | CoPt膜 / パターンド媒体 / ドット / 磁化機構 / 一軸磁気異方性 / 保磁力 / 保磁力分散 |
キーワード(英) | CoPt films / patterned films / dot arrays / magnetization reversal mechanism / uniaxial anisotropy / coercive force / switching field distribution |
資料番号 | MR2005-20 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MR |
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開催期間 | 2005/7/1(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | CoPt/Ruパターンド膜の磁化機構と熱安定性(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Magnetization Reversal and Thermal Stability of CoPt/Ru Patterned Films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | CoPt膜 / CoPt films |
キーワード(2)(和/英) | パターンド媒体 / patterned films |
キーワード(3)(和/英) | ドット / dot arrays |
キーワード(4)(和/英) | 磁化機構 / magnetization reversal mechanism |
キーワード(5)(和/英) | 一軸磁気異方性 / uniaxial anisotropy |
キーワード(6)(和/英) | 保磁力 / coercive force |
キーワード(7)(和/英) | 保磁力分散 / switching field distribution |
第 1 著者 氏名(和/英) | 島津 武仁 / Takehito SHIMATSU |
第 1 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 三塚 要 / Kaname MITSUZUKA |
第 2 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 村岡 裕明 / Hiroaki MURAOKA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
第 4 著者 氏名(和/英) | / / Nobuaki KIKUCHI |
第 4 著者 所属(和/英) | / SMI, MESA+, University of Twente |
発表年月日 | 2005/7/1 |
資料番号 | MR2005-20 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 167 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |