講演名 2005/7/1
CoPt/Ruパターンド膜の磁化機構と熱安定性(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展)
島津 武仁, 三塚 要, 村岡 裕明, /,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) CoPt/Ruパターンド膜(膜厚20nm、ドット直径D=80~245nm)をレーザー干渉法により作成し、磁化機構とパターン媒体への応用について議論した。Dの低下にともないドットの残留保磁力は増加し、7.6kOe(D=80nm)に達した。D=140, 245nmの各ドットのニュークリエーション径は30nm程度と推定され、ドット体積の約5%以下であるが、MFM観察の結果ではドット径に依らずドットは全て単磁区であった。ドット中央部に磁化回転によるニュークリエーションが生じ、瞬時にドット全体に反転が広がっているものと推察された。スイッチング磁界分散SFDは、ドット径の低下にともない単調に低下した。SFDの大きさはc軸の角度分散とドット径分散に関係していると考えられるが、SFDの膜厚依存性についてはさらなる検討が必要である。
抄録(英) Dot arrays with diameter D=80-245nm are made of Co_<80>Pt_<20> (20nm) films with a large perpendicular anisotropy energy. Coercive force increases as the D decrease, and shows 7.6kOe at D=80nm. The switching volume for the array of D=140nm dots was estimated to be about 1.6×10^4nm^3, which was only about 5% of the dot volume. However, the MFM images revealed that all dots show single domain state during the magnetization reversal. It is likely that the reversal process starts from a nucleation at the center of the dot followed by propagation process. Moreover, the change in the switching field distribution as a function of D was discussed.
キーワード(和) CoPt膜 / パターンド媒体 / ドット / 磁化機構 / 一軸磁気異方性 / 保磁力 / 保磁力分散
キーワード(英) CoPt films / patterned films / dot arrays / magnetization reversal mechanism / uniaxial anisotropy / coercive force / switching field distribution
資料番号 MR2005-20
発行日

研究会情報
研究会 MR
開催期間 2005/7/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Magnetic Recording (MR)
本文の言語 JPN
タイトル(和) CoPt/Ruパターンド膜の磁化機構と熱安定性(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Magnetization Reversal and Thermal Stability of CoPt/Ru Patterned Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) CoPt膜 / CoPt films
キーワード(2)(和/英) パターンド媒体 / patterned films
キーワード(3)(和/英) ドット / dot arrays
キーワード(4)(和/英) 磁化機構 / magnetization reversal mechanism
キーワード(5)(和/英) 一軸磁気異方性 / uniaxial anisotropy
キーワード(6)(和/英) 保磁力 / coercive force
キーワード(7)(和/英) 保磁力分散 / switching field distribution
第 1 著者 氏名(和/英) 島津 武仁 / Takehito SHIMATSU
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
RIEC, Tohoku University
第 2 著者 氏名(和/英) 三塚 要 / Kaname MITSUZUKA
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
RIEC, Tohoku University
第 3 著者 氏名(和/英) 村岡 裕明 / Hiroaki MURAOKA
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
RIEC, Tohoku University
第 4 著者 氏名(和/英) / / Nobuaki KIKUCHI
第 4 著者 所属(和/英) /
SMI, MESA+, University of Twente
発表年月日 2005/7/1
資料番号 MR2005-20
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 167
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日