| 講演名 | 2005/7/1 高速昇温熱処理によるFePt微粒子膜の作製(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展) 伊藤 彰義, 伊藤 祐二, 塚本 新, 中川 活二, |
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| 抄録(和) | 高速昇温熱処理(Rapid Thermal Annealing : RTA)により、熱酸化SiO_2基板上に垂直磁化を有するFePt微粒子膜の作製に成功した。スパッタ製膜直後のFePt膜は連続膜であるが、RTA後に垂直磁化を有する微粒子膜となる。微粒子径とその分布は、スパッタ後の膜厚に大きく依存し、現在までに得られた最小平均粒径は7nmである。これらの実験結果を示す。次にその微粒子垂直磁化膜を基板としTbFeCo膜を積層した複合膜の抗磁力の増加についてのべる。 |
| 抄録(英) | We have succeeded to obtain perpendicular magnetized films consists of small grains of FePt by using a rapid thermal annealing : RTA method on to thermally oxidized SiO_2 thin films on Si substrates. As deposited films of FePt by sputtering method are continuous films, however after RTA, they become small grains of (001) oriented L1_0 phase crystalline structure showing a perpendicular magnetization. The average grain diameter is strongly depended on the film thickness of as sputtered film before RTA. The smallest average diameter was 7nm. Coercivity enhancement in the TbFeCo films fabricated on those small grains of FePt is also shown. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | FePt / TbFeCo / small grains / rapid thermal annealing / composite films / hybrid recording |
| 資料番号 | MR2005-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2005/7/1(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速昇温熱処理によるFePt微粒子膜の作製(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Small Grain FePt Films Prepared by Rapid Thermal Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / FePt |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 彰義 / Akiyoshi ITOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部電子情報工学科 Departmentt of Electronics and Computer Science, College of Science and Technology, NIHON Univfderisty |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 祐二 / Yuji ITOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (現)富士通研究所 / Departmentt of Electronics and Computer Science, College of Science and Technology, NIHON Univfderisty |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塚本 新 / Arata TSUKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部電子情報工学科 Departmentt of Electronics and Computer Science, College of Science and Technology, NIHON Univfderisty |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中川 活二 / Katsyji NAKAGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部電子情報工学科 |
| 発表年月日 | 2005/7/1 |
| 資料番号 | MR2005-18 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |