講演名 2005-09-09
オンチップ伝送線路配線技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
益 一哉, 岡田 健一, 伊藤 浩之,
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抄録(和) Si CMOSはスケーリング則を指導原理とした微細化により, 高速, 低消費電力, 高密度化を実現してきた.しかし, 回路規模が大きくなるにつれて, 長距離配線による遅延が回路全体の性能を律速するようになってきた.配線をRC線路と考えた場合, 従来はリピータを適宜挿入して配線遅延を減少させる手法がとられてきた.そもそも線路長が伝送している信号波長に対して無視できなくなると, 線路は伝送線路として扱う必要がある.我々のグループではオンチップ上の伝送線路導入の可能性について検討してきた.線路構造, 1対1伝送回路の設計と評価を行い, これら結果を用いて180nm, 90nm, 45nm世代に伝送線路配線を導入したときの性能予測を行った.伝搬遅延時間の観点からは伝送線路が有利であり, 消費電力の観点においても世代が進むにつれ伝送線路配線の有利性がでてくることを示した.
抄録(英) Recent Si CMOS performance becomes to be limited by the long global interconnect characteristics. In this paper, we discuss the performance of transmission line interconnect on Si CMOS chip. Interconnect line structure, design and evaluation of signal transmission of Tx/TR-Line/Rx circuit, and estimation and prediction of signal delay and power consumption of global interconnect in 180nm, 90nm and 45nm technology node are presented. In sub 100nm node, signal delay and power consumption of transmission line interconnect are both superior to those using the conventional RC global interconnect with repeaters.
キーワード(和) 伝送線路配線 / 配線長分布
キーワード(英) Si CMOS / Transmission Line Interconnect / Interconnect Wire Length Distribution
資料番号 CPM2005-104,ICD2005-114
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2005/9/2(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) オンチップ伝送線路配線技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) On Chip Transmission Line Interconnect
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 伝送線路配線 / Si CMOS
キーワード(2)(和/英) 配線長分布 / Transmission Line Interconnect
第 1 著者 氏名(和/英) 益 一哉 / Kazuya MASU
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学精密工学研究所
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 岡田 健一 / Kenichi OKADA
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学精密工学研究所
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 伊藤 浩之 / Hiroyuki ITO
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学精密工学研究所
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2005-09-09
資料番号 CPM2005-104,ICD2005-114
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 266
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日