講演名 | 2005-09-08 スタック・ダイ・パッケージにおけるシリコン・ストレスの検討(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術) 阿部 賢史, 山田 英一, 鈴木 豊, 雨海 正純, |
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抄録(和) | 本研究では、スタック・ダイ・パッケージについて、シリコンおよびその薄膜のストレスが構造の違いや組立工程でどのように変化するか、シミュレーション技術を使用し検討した。またシリコン・ダイの破壊応力を3点曲げ破壊試験で求めた後、その破壊応力を基に決定したスペーサーに対するダイのはみ出し(オーバーハング)の長さ、ダイの厚みに対して作成した安全設計ガイドラインを示す。 |
抄録(英) | Silicon and device stress of the Stacked Die Package were studied using simulation technology. Si die fracture strength was determined by 3 point bending test. Then a safety design guideline for die over hang and die thickness of Stacked Die Package is suggested using arranged fracture criteria. |
キーワード(和) | スタック・ダイ・パッケージ / シリコン・ストレス / 破壊 / 有限要素法、安全設計 |
キーワード(英) | Stacked Die Package / Silicon Stress / Fracture / Finite Element Analysis / Design Safety |
資料番号 | CPM2005-92,ICD2005-102 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2005/9/1(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | スタック・ダイ・パッケージにおけるシリコン・ストレスの検討(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | The Study of Silicon Stress for Stacked Die Packages |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | スタック・ダイ・パッケージ / Stacked Die Package |
キーワード(2)(和/英) | シリコン・ストレス / Silicon Stress |
キーワード(3)(和/英) | 破壊 / Fracture |
キーワード(4)(和/英) | 有限要素法、安全設計 / Finite Element Analysis |
第 1 著者 氏名(和/英) | 阿部 賢史 / Kenji ABE |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング・特性研究グループ Modeling & Characterization, Tsukuba Technology Center, Texas Instruments Japan Limited |
第 2 著者 氏名(和/英) | 山田 英一 / Eiichi YAMADA |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング・特性研究グループ Modeling & Characterization, Tsukuba Technology Center, Texas Instruments Japan Limited |
第 3 著者 氏名(和/英) | 鈴木 豊 / Yutaka SUZUKI |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング・特性研究グループ Modeling & Characterization, Tsukuba Technology Center, Texas Instruments Japan Limited |
第 4 著者 氏名(和/英) | 雨海 正純 / Masazumi AMAGAI |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング・特性研究グループ Modeling & Characterization, Tsukuba Technology Center, Texas Instruments Japan Limited |
発表年月日 | 2005-09-08 |
資料番号 | CPM2005-92,ICD2005-102 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 265 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |