| 講演名 | 2005-09-08 ポリイミド薄膜の10GHz帯誘電特性の測定(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術) 瀬川 繁昌, 伊藤 佐千子, 菊地 克弥, 所 和彦, 仲川 博, 青柳 昌宏, |
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| 抄録(和) | 実装配線の高速化、および高密度化を実現するために低誘電率材料の開発が望まれている。低誘電材料の開発を迅速におこなうために、簡便で、高精度の誘電特性測定システムが求められている。我々は、高周波帯域での誘電特性測定法の中で空洞共振器摂動法を選定し、高精度な測定ができるように検討した。誘電特性の標準材料である合成石英を用いて、誘電率の校正を行った。また、ベクトルネットワークアナライザ(VNA)について、測定条件の最適化を行った。極薄フィルム材料の測定方法について検討した。宇部興産のポリイミドフィルムUPIREXを測定した結果、10GHzにおいて誘電率3.56で標準偏差0.005、Tangentδ0.0091で標準偏差0.0001という結果を得られた。 |
| 抄録(英) | In order to realize improvement in the high-speed and high-density integration, a low dielectric property material should be developed. In order to perform development of a low dielectric material quickly, the simple and highly precise dielectric property measurement system is required. The cavity resonance perturbation method was chosen in dielectric property measuring methods of a high frequency band, and we investigated so that it could measure with high precision. The measurement system was calibrated by using synthetic quartz as a standard material of dielectric property. Moreover, the measurement condition of a vector network analyzer (VNA) was optimized. The ultra-thin polyimide film could be measured successfully. |
| キーワード(和) | 空洞共振器摂動法 / 合成石英 / ベクトルネットワークアナライザ / ポリイミド / 薄膜 |
| キーワード(英) | Cavity Resonance Perturbation Method / quart / Vector Network Analyzer / IFBW / Polyimide / Thin Film |
| 資料番号 | CPM2005-86,ICD2005-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/9/1(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポリイミド薄膜の10GHz帯誘電特性の測定(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristic dielectric constant for polyimide thin films at 10GHz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 空洞共振器摂動法 / Cavity Resonance Perturbation Method |
| キーワード(2)（和/英） | 合成石英 / quart |
| キーワード(3)（和/英） | ベクトルネットワークアナライザ / Vector Network Analyzer |
| キーワード(4)（和/英） | ポリイミド / IFBW |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / Polyimide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瀬川 繁昌 / Sigemasa Segawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ピーアイ技術研究所 PI R&D Co., LTD |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 佐千子 / Sachiko Ito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 AIST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 AIST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 所 和彦 / Kazuhiko Tokoro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 AIST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 仲川 博 / Hiroshi Nakagawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 AIST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 青柳 昌宏 / Masahiro Aoyagi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 AIST |
| 発表年月日 | 2005-09-08 |
| 資料番号 | CPM2005-86,ICD2005-96 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |