| 講演名 | 2005/7/25 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般) 武山 真弓, 水野 源大, 青柳 英二, 野矢 厚, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si-ULSIにおける配線材料としてCuが用いられているが, そのバリヤとして5nm程度でも十分にCuの拡散を抑制でき, かつ新規に導入されてきたlow-κ材料上でも優れたバリヤ特性を示す材料が切望されている。そこで本研究では, そのようなバリヤの候補としてVN膜を適用し, 5nm程度の極薄バリヤとした場合のSiO_2及びSiOC上でのバリヤ特性について, 中でも特に界面での拡散・反応の制御に着目し, 検討を行った。その結果, VNバリヤは, SiO_2及びSiOC上で優れたバリヤ特性を示し, かつ界面でのミキシング等も排除した安定なナノ界面を実現できることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | For the development of reliable Cu interconnects applicable to 45nm technology node, the realization of an ultra-thin barrier (～5nm) on low-κ materials is indispensable for reducing RC time delay in ULSI devices. In the present study, we investigated barrier properties of a vanadium nitride (VN) layer as a candidate of an ultra-thin barrier in Cu/SiO_2 and Cu/SiOC systems. Since the VN barrier with ～5nm thickness is chemically and structurally stable itself, the excellent barrier properties without structural change and intermixing at the interface are obtained. The ultra-thin VN barrier is sufficiently applicable to highly reliable Cu metallization technology in the 45nm node or beyond. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 拡散バリヤ / ナノ界面 / low-κ材料 |
| キーワード(英) | Cu interconnects / diffusion barrier / vanadium nitride / low-κ |
| 資料番号 | CPM2005-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Interfaces with Well-controlled Interfacial Reaction and Diffusion in Cu/VN/SiOC/Si System Using Ultra-thin VN Barrier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ界面 / vanadium nitride |
| キーワード(4)（和/英） | low-κ材料 / low-κ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水野 源大 / Genta MIZUNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青柳 英二 / Eiji AOYAGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-65 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |