| 講演名 | 2005/7/25 Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般) 佐藤 勝, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | Cu配線技術において、低抵抗なバリヤを用いることが配線抵抗の低減にとって必要不可欠である。本研究では、Ta系のバリヤよりも十分低抵抗なZrN膜をCuの拡散バリヤとして、low-κ材料であるSiOC上に適用し、そのバリヤ特性について検討した。その結果、ZrNバリヤはSiOC上に適用しても十分に安定なCu/ZrN/SiOC/Si構造を実現できることが明らかとなった。さらに、膜厚を～8nm程度に極薄化したZrNバリヤをCu/SiOCとの間に用いても、界面でのミキシング等に起因する界面層の形成も見られず、ZrN膜はCuの拡散バリヤとして十分適用可能であり、かつ配線抵抗の低減にとって極めて有用なバリヤ材料であることが示唆された。 |
| 抄録(英) | A use of extremely thin diffusion barrier of low electrical resistivity is essential for reducing RC signal delay in interconnects in Si-ULSI metallization technology. We examined barrier properties of a thin ZrN film employed between Cu and a low-κ insulating layer (SiOC). The Cu/ZrN/SiOC/Si system showed good thermal stability without diffusion and/or any solid-phase reactions at every interface, and scarce change of SiOC in structure due to annealing at 500℃ for 30min. No intermixing layers were distinctly observed at the interfaces in the Cu/ZrN/SiOC/Si system with a ～8nm thick ZrN barrier. This is ascribed to the characteristics of ZrN as a structurally and chemically stable material. The results revealed that the extremely thin ZrN barrier of low resisvity is a promising material for the use of forthcoming Cu metallization technology. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 低抵抗 / ZrNバリヤ / low-κ材料 |
| キーワード(英) | Cu / interconnect / low resistivity / ZrN barrier / low-κ / SiOC |
| 資料番号 | CPM2005-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Barrier properties of thin ZrN film in Cu/ZrN/SiOC/Si system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu |
| キーワード(2)（和/英） | 低抵抗 / interconnect |
| キーワード(3)（和/英） | ZrNバリヤ / low resistivity |
| キーワード(4)（和/英） | low-κ材料 / ZrN barrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Enginnering Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Enginnering Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Enginnering Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-64 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |