| 講演名 | 2005/7/25 SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般) , 佐藤 勝, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | エレクトロマイグレーション耐性に優れた[111]優先配向を示すCu配線層を、SiO_2上に形成した100nmの膜厚のNb[110]バリヤ上に形成できたことを先に報告した。本報告では、Nbバリヤ層を20nm及び10nmとより薄層化したときのCu層の配向性について調べた。その結果、Cu[111]配向性はNbバリヤの薄層化に伴って若干劣化が見られるものの、基本的には配向性を保持した安定な構造となることがわかった。 |
| 抄録(英) | We have recently shown the successful formation of the preferentially oriented Cu[111] layer as interconnects of excellent electromigration resistance on the oriented 100nm-thick Nb[110] barrier on amorphous SiO_2. In this study, we have evaluated the growth and the quality of the Cu[111] film using the Nb barrier of 10 and 20nm in thickness. The XRD analyses indicate that the [110] oriented Nb barrier was obtained for every Nb film in thickness, which enables the successful formation of the preferentially oriented Cu[111] film; and the crystallographic structures of the Cu/Nb/SiO_2/Si systems were thermally stable due to annealing at 500℃ for 1h. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 優先配向 / 拡散バリヤ / Nb薄膜 |
| キーワード(英) | Cu interconnects / Preferential Orientation / Diffusion Barrier / Nb thin film |
| 資料番号 | CPM2005-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of [111]-Textured Cu Film on Thin Nb[110] Barrier on SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | 優先配向 / Preferential Orientation |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散バリヤ / Diffusion Barrier |
| キーワード(4)（和/英） | Nb薄膜 / Nb thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Md. MANIRUZZAMAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-63 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |