| 講演名 | 2005/7/25 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般) 竹田 美和, 森 敬洋, 安達 俊彰, 田渕 雅夫, 人見 伸也, 山内 武志, 中村 新男, |
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| 抄録(和) | 半導体上のErAs半金属層の平坦さと厚さの制御を達成するために、分子線エピタキシー法でGaAs/AlAs/ErAs/AlAs/GaAs構造を作製し、そこにおける界面制御層の重要性について論じる。ErAs上のAlAs層はMn 1層を挟む事で、平坦となる事が知られている。しかし、AlAs上のErAs層については、手だてがなかった。我々は、僅か1分子層のGaAs(III族元素だけを見ると1原子層のGa)を挟むことで、平坦なErAs層が得られる事を見出した。また、RHEEDのストリーク・パターン中の回折スポットがErAs層の膜厚増加とともに観測されるが、熱処理によりそれが完全に除去出来ることも述べる。 |
| 抄録(英) | To achieve a good control of thickness and flatness of ErAs semimetal layers on semiconductor substrates, we investigated GaAs/AlAs/ErAs/AlAs/GaAs RTD structure growth by molecular beam epitaxy(MBE). A good flatness of the ErAs layers on AlAs had not been achieved while the flatness of the upper AlAs layer on ErAs was recovered by insertion of a Mn metal layer between the upper AlAs layer and the ErAs layer. In this work, we adopted one monolayer(ML)-thick GaAs on the lower AlAs layer to suppress the three-dimensional growth of ErAs. The ErAs surface grown on GaAs(1ML)/AlAs was as smooth as that on GaAs. |
| キーワード(和) | 表面平坦性 / 1原子挿入層 / 共鳴トンネルダイオード |
| キーワード(英) | ErAs / MBE / Flatness / 1ML insertion layer / RTD |
| 資料番号 | CPM2005-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Hetero-Interface and Crystal Quality by Insertion of 1 Monolayer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面平坦性 / ErAs |
| キーワード(2)（和/英） | 1原子挿入層 / MBE |
| キーワード(3)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Flatness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻:名古屋大学エコトピア科学研究所ベンチャービジネスラボラトリー Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University:Venture Business Laboratory, Eco Topia Research Institute, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 敬洋 / Takahiro MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安達 俊彰 / Toshiaki ADACHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / Masao TABUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学エコトピア科学研究所ベンチャービジネスラボラトリー Venture Business Laboratory, EcoTopia Research Institute, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 人見 伸也 / Shinya HITOMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山内 武志 / Takeshi YAMAUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中村 新男 / Arao NAKAMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-62 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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