| 講演名 | 2005/7/25 Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般) 柴田 誠一, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | 我々は先に、n-InP上のオーミック電極としてCu-Zrアモルファス合金膜を適用し、500℃20秒のRTA処理後に極めて低コンタクト抵抗(約1×10^<-7>Ωcm^2以下(n=4×10^<18>cm^<-3>))のオーミックコンタクトとなることを報告した。そこで本研究では、Cu-Zrアモルファス合金膜のわずかな組成の変化が、この系にどのような影響を及ぼすのか、界面反応と電気的特性との関連性について検討を行った。その結果、先の研究で用いたCu_<60>Zr_<40>から合金組成を10%程度Cu-rich、Zr-richとした合金膜では、その電気的特性はオーミックとはならず、界面での反応形態、特にCuの拡散挙動が異なることが明らかとなり、良好なオーミックコンタクトを得るにはCu-Zr合金相自身の安定性が重要であることが示唆された。 |
| 抄録(英) | We have previously proposed an ohmic contact scheme of Cu-Zr amorphous alloy metallization to n-InP, and the contact shows an excellent ohmic behavior with an extremely low contact resistance (≤1×10^<-7>Ωcm^2(n=4×10^<18>cm^<-3>)) after rapid thermal annealing (RTA) at 500℃ for 20s. In this study, we examine interfacial reactions and electrical properties in the Cu-Zr/n-InP contacts by varying the alloy composition around Cu_<60>Zr_<40> (Cu_<70>Zr_<30> and Cu_<55>Zr_<45>). The results indicate that the Cu_<55>Zr_<45>/n-InP and Cu_<70>Zr_<30>/n-InP contacts show non-ohmic behavior due to RTA treatment. In these contacts, although the difference of alloy composition is a trifle, behavior of interfacial reaction and/or diffusion, especially Cu diffusion, differs from that observed in an ohmic Cu_<60>Zr_<40>/n-InP contact. It is revealed that the stability of the Cu-Zr alloy phase is important for the ohmic contact in the Cu-Zr/n-InP system. |
| キーワード(和) | オーミックコンタクト / Cu-Zrアモルファス合金 / 界面反応 / Cu拡散 |
| キーワード(英) | n-InP / ohmic contact / Cu-Zr amorphous alloy / interfacial reaction / Cu diffusion |
| 資料番号 | CPM2005-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Cu-Zr amorphous alloy composition on interfacial reaction in Cu-Zr/n-InP contact |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オーミックコンタクト / n-InP |
| キーワード(2)（和/英） | Cu-Zrアモルファス合金 / ohmic contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面反応 / Cu-Zr amorphous alloy |
| キーワード(4)（和/英） | Cu拡散 / interfacial reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柴田 誠一 / Seiichi SHIBATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-61 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |