| 講演名 | 2005/7/25 ガスフロースパッタ法における低エネルギーイオンアシストによるITO薄膜の低温結晶化(電子部品・材料, 及び一般) 石井 清, 渡辺 康治, 齋藤 和史, 佐久間 洋志, |
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| 抄録(和) | 透明導電膜であるITO(In_2O_3Sn_x)薄膜は成膜温度を高めることにより結晶性が向上し抵抗率が下がる傾向にあるが, 近年, ポリエチレンテレフタレート(PET)などのプラスティック基板上に低抵抗のITO薄膜を作製するため, 低温で低抵抗のITO薄膜を作製する必要性が高い.そのためには2つのアプローチが考えられる.1つは, アモルファス膜について抵抗を下げることである.他の1つは, 低温で結晶化を促進させることである.我々は後者の立場に立ち, ガスフロースパッタ(GFS)法にdc及びrfバイアススパッタを適用して, 成膜中に10～50eV程度のイオン衝撃を膜面に加えることにより, 低温で結晶化した低抵抗(2.6×10^<-4>Ω・cm)ITO薄膜を得ることができた. |
| 抄録(英) | Tin-doped indium oxide (ITO) films were prepared on glass and polyethylene terephthalate (PET) substrates by gas flow sputtering (GFS), and the effects of bias sputtering on film resistivity were investigated. GFS is a high-pressure (about 100Pa) sputtering, and energetic particles are completely thermallized to the temperature of sputtering gas. Thus, GFS is suitable for bias-sputtering at a low voltage. Although the resistivity of films sputtered without substrate bias was very high, the resistivity was dramatically reduced by the addition of substrate bias. A film with resistivity of 2.6×10^<-4>Ω・cm was obtained at the dc bias of -50V. X-ray diffraction (XRD) studies revealed that the bias sputtering promoted crystallization of ITO films. |
| キーワード(和) | 透明導電膜 / スパッタ膜 / バイアススパッタ / ガスフロースパッタ法 |
| キーワード(英) | ITO / Conductive Transparent Film / Sputtered Film / Bias-Sputtering / Gas Flow Sputtering |
| 資料番号 | CPM2005-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ガスフロースパッタ法における低エネルギーイオンアシストによるITO薄膜の低温結晶化(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temperature Growth of Crystallized ITO Films by Gas Flow Sputtering Utilizing Low-Energy Ion Bombardment |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 透明導電膜 / ITO |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタ膜 / Conductive Transparent Film |
| キーワード(3)（和/英） | バイアススパッタ / Sputtered Film |
| キーワード(4)（和/英） | ガスフロースパッタ法 / Bias-Sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石井 清 / Kiyoshi ISHII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 宇都宮大学工学部 Faculty of Engineering, Utsunomiya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 康治 / Koji WATANBE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 宇都宮大学工学部 Faculty of Engineering, Utsunomiya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 和史 / Yoshifumi SAITOU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 宇都宮大学工学部 Faculty of Engineering, Utsunomiya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐久間 洋志 / Hiroshi SAKUMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 宇都宮大学工学部 Faculty of Engineering, Utsunomiya University |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-60 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |