| 講演名 | 2005/7/25 イオンビームアシスト蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(電子部品・材料, 及び一般) 川口 茂利, 星 陽一, 神谷 攻, |
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| 抄録(和) | スパッタ法を用いてTiO_2薄膜を高速成膜するためには、基板上での酸化反応の促進が必要不可欠である。本研究では、イオンビームアシスト蒸着法を用いて、基板上でのチタンの酸化反応を促進するための方法について検討した。その結果、(1)通常の反応性蒸着法を用いて室温でTiO_2薄膜を作製するためには、基板上に入射させるTi原子の数に対する酸素分子の数の比((O_2/Ti)比)を200倍以上にすることが必要なこと。(2)ECRプラズマ源で酸素ガスを活性化して、基板上に供給することにより、基板上での酸化反応は促進され、透明なTiO_2膜が得られる(O_2/Ti)比を2000倍にまで減少できること。(3)基板温度を200℃に増加させると、基板上での酸化が促進され、(O_2/Ti)比が140倍程度でも透過率の高い膜が得られる。(4)酸素イオンを500eVに加速して照射すると、酸素の選択的な再スパッタが起こり、酸化促進には逆効果となる。ことを明らかにすることができた。 |
| 抄録(英) | In order to realize a high rate deposition of TiO_2 thin films by reactive sputtering, promotion of oxidation on film surface is necessary. In this study, we used an ion beam assist reactive evaporation technique to investigate the oxidation process of Ti atoms on the substrate, where metal Ti atoms and oxygen gas were supplied separately to substrate surface from electron beam evaporation source and ECR plasma source, respectively. As a result, following results were obtained : (1) when ECR plasma source was not used, more than 200 times of oxygen molecules should be supplied to the film surface compared with the amount of Ti metal atoms. (2) Supply of the oxygen radicals by the ECR plasma source promoted the oxidation of Ti atoms on the film surface and enabled a reduction of the oxygen gas to about 1/2 during deposition. (3) The increase of substrate temperature to 200℃ was effective to promote the oxidation on the film surface. (4) Bombardment of oxygen ions of 500eV to film surface during deposition caused a re-sputtering of oxygen atoms from the film surface and prevented the oxidation of the film. |
| キーワード(和) | TiO_2薄膜 / イオンビームアシスト / 高速成膜 / 反応蒸着 / ECRプラズマ |
| キーワード(英) | TiO_2 thin film / Ion beam assist deposition / high rate deposition / reactive evaporation / ECR plasma source |
| 資料番号 | CPM2005-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオンビームアシスト蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(電子部品・材料, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Rate Deposition of TiO_2 Films by Ion Beam Assist Evaporation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TiO_2薄膜 / TiO_2 thin film |
| キーワード(2)（和/英） | イオンビームアシスト / Ion beam assist deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 高速成膜 / high rate deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 反応蒸着 / reactive evaporation |
| キーワード(5)（和/英） | ECRプラズマ / ECR plasma source |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川口 茂利 / Shigetoshi KAWAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神谷 攻 / Osamu KAMIYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 発表年月日 | 2005/7/25 |
| 資料番号 | CPM2005-59 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 223 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |