| 講演名 | 2002/3/13 デバイスのESD耐性評価の数量化 村崎 憲雄, 萩本 安昭, |
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| 抄録(和) | 正味のESD耐性を測定できる確実な方法を発明するために、試験用電源の入力容量とDUTの破壊電圧との間の関係をMMモデルでSOP16ピンを試料として実験した。その結果、正味の破壊電圧とは試験装置の入力電圧と伝達関数の積であることが明らかになった。デバイスの正味のESD耐性が環境静電気よりも常に高い状態であれば、そこではESD障害は発生し得ない。それゆえに、試験装置の入力電圧と非公開の伝達関数を知ることが静電気対策における最優先事項である。 |
| 抄録(英) | In order to invent a method of measurement of ESD truthful withstand voltage based on solid ground, the correlation between test generator input capacity and ESD withstand Voltage of DUT was experimented by MM method with SOP 16 pin. Experiment showes that withstand truthful voltage is a product of input voltage by transfer function of test equipment. If withstand truthful voltage of all devices are higher than ESD voltage in the environment, ESD hazards does not generate in it. The product of input voltage by transfer function of test equipment is the first consideration of ESD hazards control, though transfer function is not open to the public. |
| キーワード(和) | ESD耐性の眞値 / ESD試験装置 / 伝達関数 / 入力電圧 |
| キーワード(英) | truthful withstand voltage / ESD test equipment / transfer function / input voltage |
| 資料番号 | SSS2001-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SSS |
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| 開催期間 | 2002/3/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Safety (SSS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | デバイスのESD耐性評価の数量化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of ESD Trouthful Withstand Voltage of Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ESD耐性の眞値 / truthful withstand voltage |
| キーワード(2)（和/英） | ESD試験装置 / ESD test equipment |
| キーワード(3)（和/英） | 伝達関数 / transfer function |
| キーワード(4)（和/英） | 入力電圧 / input voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村崎 憲雄 / Norio Murasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 萩本 安昭 / Yasuaki Hagimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 警察庁科学警察研究所 National Institute of Police Science |
| 発表年月日 | 2002/3/13 |
| 資料番号 | SSS2001-33 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 739 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |