| 講演名 | 2005-09-09 SiCパワー半導体デバイスの進展(部品・デバイス・材料技術関連, 一般) 四戸 孝, |
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| 抄録(和) | 炭化ケイ素(SiC)はSiの約10倍の絶縁破壊電界強度(Ec)を持ち、高耐圧・低損失の次世代パワーデバイス材料として期待されている。既にSBD(Schottky Barrier Diode)が製品化されてスイッチング電源に組み込まれ始めており、MOSFET, JFET(Junction Field Effect Transistor)などスイッチングデバイスの研究開発も多くの研究機関や企業で活発に行われている。本稿では、実用化へ向けて着実に進展しているSiCパワー半導体デバイスの研究開発の現状と今後の展望について解説する。 |
| 抄録(英) | Silicon carbide (SiC) has an electric breakdown field ten times higher than that of silicon (Si) and is expected to be an excellent material for next-generation high-voltage, low-loss power devices. SBDs (Schottky Barrier Diodes) are already being produced commercially and are beginning to be included in switching mode power supplies. Many research organizations and companies are engaged in the research and development of switching devices such as MOSFETs and JFETs (Junction Field Effect Transistors). This paper presents an overview of the present status and future prospects of SiC power semiconductor devices, which are progressing steadily towards practical application. |
| キーワード(和) | パワー半導体デバイス |
| キーワード(英) | SiC / Power Semiconductor Devices / SBD / PiN / MOSFET / JFET / Transistor |
| 資料番号 | EE2005-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2005/9/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCパワー半導体デバイスの進展(部品・デバイス・材料技術関連, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress in SiC Power Semiconductor Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワー半導体デバイス / SiC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 四戸 孝 / Takashi SHINOHE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporate R&D Center |
| 発表年月日 | 2005-09-09 |
| 資料番号 | EE2005-32 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |