| 講演名 | 1994/6/15 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性 篠田 和典, 平本 清久, 魚見 和久, 土屋 朋信, |
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| 抄録(和) | 信頼性の高い0.98μm帯InGaAs歪量子井戸型面発光レーザの実現を目的として、Alを含まないInGaP, GaAs多層膜反射鏡を減圧MOCVD法により作製し、反射特性を評価した。その結果、45周期の多層膜において、最大反射率99.8%の高反射率特性を得た。さらに、反射スペクトルの非対称性とその積層周期数依存性から層厚の安定性を評価した結果、結晶成長中の層厚の変化は約1%と僅少であった。 |
| 抄録(英) | We report on a 45-period InGaP, GaAs multilayer with high reflectivity of 99.8% grown by lowpressure MOCVD for highly reliable 0.98-μm InGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers(VC SELs).This value is the highest ever reported for Al-free semic- onductor multilayers.In addition,the stability of the layer thickness during the epitaxial growth is fully discussed from the viewpoint of the asymmetrical reflectivity spectrum.We show that the layer,thickness slightly decreases(1%)during growth. |
| キーワード(和) | 面発光レーザ / 半導体多層膜反射鏡 / InGaP/GaAs / 高反射率 |
| キーワード(英) | Surface-emitting laser / Semiconductor multilayer / InGaP/aAs / High reflectivity |
| 資料番号 | LQE94-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1994/6/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-reflectivity(99.8%)InGaP/GaAs multilayer reflector for highly reliable 0.98-μm VCSELs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザ / Surface-emitting laser |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体多層膜反射鏡 / Semiconductor multilayer |
| キーワード(3)（和/英） | InGaP/GaAs / InGaP/aAs |
| キーワード(4)（和/英） | 高反射率 / High reflectivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 篠田 和典 / Kazunori Shinoda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平本 清久 / Kiyohisa Hiramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 魚見 和久 / Kazuhisa Uomi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 土屋 朋信 / Tomonobu Tsuchiya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 発表年月日 | 1994/6/15 |
| 資料番号 | LQE94-22 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 87 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |