| 講演名 | 1994/7/26 450℃アニールにより低逆バイアス電流n^+p接合の形成 岡 マウリシオ 正純, 中田 明良, 冨田 和朗, 柴田 直, 大見 忠弘, 新田 雄久, |
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| 抄録(和) | イオン注入で形成したn^+p接合において、高温(1000℃)アニールを行った接合にたいして低温(450℃)アニールを行った接合では、逆方向電流が2桁増加するだけではなく順方向電流も1桁増加することが明らかになった。我々はこれら二つの電流増加の原因はイオン注入時に発生した微小欠陥が低温では完全に回復されていないからだと考えている。低温アニール後でも残留する微小欠陥を回復するために、新たに水素ラジカルシンタリングを開発し、順方向、逆方向電流、ともに20%から30%低減することに成功した。その結果、逆方向バイアス5V印加時に3.1x10^-9>A, cm^2と、非常に低い値が得られた。 |
| 抄録(英) | It was observed that not only the reverse-bias current,but also the forward bias current of n^+ p junctions is increased by the decrease in the post-implantation annealing temperature.We propose that the increase in these two currents orginates from point defects generated during the ion implantation which cannot be completely annealed out at low temperatures.We have developed a new hydrogen-radical(H^*)-sintering and have succeeded in reducing both the forward-bias and reverse-bias currents by 20 to 30% as compared to the values before the sintering.A very low reverse- bias current level of 3.1x10^-9> A, cm^2 at 5V has been achieved by employing this technology even with a post-implantation annealing temperature as low as 450℃. |
| キーワード(和) | イオン注入 / 低温アニール / 水素ラジカル / シンタリング / ライフタイム / n^+p接合 |
| キーワード(英) | ion implantation / low-temperature annealing / hydrogen radical / sintering / life time / n^+p-junction |
| 資料番号 | SDM94-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 450℃アニールにより低逆バイアス電流n^+p接合の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low reverse-bias current n^+p-junction formation by 450℃ furnace annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | 低温アニール / low-temperature annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 水素ラジカル / hydrogen radical |
| キーワード(4)（和/英） | シンタリング / sintering |
| キーワード(5)（和/英） | ライフタイム / life time |
| キーワード(6)（和/英） | n^+p接合 / n^+p-junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡 マウリシオ 正純 / Mauricid Massazumi Oka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中田 明良 / Akira Nakada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冨田 和朗 / Kazuo Tomita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柴田 直 / Tadashi Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 新田 雄久 / Takahisa Nita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 発表年月日 | 1994/7/26 |
| 資料番号 | SDM94-50 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 185 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |