講演名 2005-06-28
TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
庄子 耕平, 羽生 貴弘,
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抄録(和) MRAMに用いられるトンネル磁気抵抗効果(TMR)素子が可変抵抗素子と見なせることに着目し, これをトランジスタと直並列接続することで, 記憶機能と論理機能をコンパクトに一体化させる新しい不揮発性ロジックインメモリ回路, すなわちTMRロジック回路が構成できることを示す.さらにTMRロジックの応用例として, データベースやルーターなど様々な分野で用いられている連想メモリ(CAM)を構成する.CAMは各記憶素子に論理演算回路が付加した構造であり, TMRロジックが有効に活用でき, 同等機能のCMOS実現と比較して高性能化・コンパクト化が達成できることを述べる.
抄録(英) The paper presents a new circuit style called "TMR logic" combining TMR (tunneling magnetoresistive) devices with connected MOS pass-transistor network, which results merging storage function into logic circuit plane with a small area. Since the TMR device can be regarded as a variable resistor with non-volatile storage capability, the logic function can be realized by series and parallel connection of the TMR devices and transistors. As a typical example, a content-addressable memory (CAM) where magnitude-compare in a bit-parallel fashion simply implemented based on TMR logic and its performance improvement is also demonstrated.
キーワード(和) TMR素子 / MR比 / 不揮発性ロジック / wired論理 / 連想メモリ
キーワード(英) MRAM / TMR / MR ratio / nonvolatile logic / wired logic / content-addressable memory(CAM)
資料番号 CAS2005-24,VLD2005-35,SIP2005-48
発行日

研究会情報
研究会 SIP
開催期間 2005/6/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Signal Processing (SIP)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design and Evaluation of a Bit-Parallel Magnitude-Comparison CAM Based on TMR Logic
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) TMR素子 / MRAM
キーワード(2)(和/英) MR比 / TMR
キーワード(3)(和/英) 不揮発性ロジック / MR ratio
キーワード(4)(和/英) wired論理 / nonvolatile logic
キーワード(5)(和/英) 連想メモリ / wired logic
第 1 著者 氏名(和/英) 庄子 耕平 / Kohei SHOJI
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of Electrical Communication and Tohoku University
第 2 著者 氏名(和/英) 羽生 貴弘 / Takahiro HANYU
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of Electrical Communication and Tohoku University
発表年月日 2005-06-28
資料番号 CAS2005-24,VLD2005-35,SIP2005-48
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 150
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日