講演名 2005-01-27
2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
三木 聡, 新家 昭彦, 吉良 剛, 近藤 真吾, 倉持 栄一, 納富 雅也, 土澤 泰, 渡辺 俊文,
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抄録(和) 2次元フォトニック結晶において点欠陥型微小共振器のQ値の大幅な向上が得られつつある.その中で共鳴トンネルデバイスは極めてQ値が高くモード体積が小さいため, 高効率かつ極微小な光スイッチへの応用が期待される.本研究では高Q高透過率を持ち, 光非線形効果による光スイッチに適した共鳴トンネルデバイスの設計をFDTD計算により行い, デバイス製作を行った.その結果、Q_vが70, 000以上で透過率50%以上の高Q低損失な微小共振器を見いだした。また、これを用いた初期的な光スイッチング特性を明らかにし、将来のフォトニック結晶光回路の可能性を示した。
抄録(英) In photonic crystals (PhCs), large improvement in Q value of point defect ultra-small cavities is going to be achieved. Among PhC devices, a resonant tunneling cavity that has a high Q and small mode volume is expected to be applied to an ultra-small low-loss optical switch. In this report, a PhC cavity with high-Q and high-efficiency is designed and fabricated to demonstrate basic photonic switch operation. As the result, a cavity with Q_v of over 70, 000 and transmittance of over 50% is achieved. Moreover, basic characteristics of photonic switch are revealed and possibility of a PhC functional circuit is shown.
キーワード(和) フォトニック結晶 / フォトニックバンドギャップ / 高Q共振器 / 光回路 / 共鳴トンネル共振器 / 光スイッチ
キーワード(英) Photonic Crystal / Photonic Band-Gap / High-Q Cavity / Optical Circuit / Resonant Tunnel Cavity / Optical Switch
資料番号 PN2004-94,OFT2004-100,OPE2004-201,LQE2004-148
発行日

研究会情報
研究会 PN
開催期間 2005/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Photonic Network (PN)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design and Fabrication of High-Q High-transmittance Resonant Tunneling Device in 2D Photonic Crystal Slab and its Application
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フォトニック結晶 / Photonic Crystal
キーワード(2)(和/英) フォトニックバンドギャップ / Photonic Band-Gap
キーワード(3)(和/英) 高Q共振器 / High-Q Cavity
キーワード(4)(和/英) 光回路 / Optical Circuit
キーワード(5)(和/英) 共鳴トンネル共振器 / Resonant Tunnel Cavity
キーワード(6)(和/英) 光スイッチ / Optical Switch
第 1 著者 氏名(和/英) 三木 聡 / Satoshi MITSUGI
第 1 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所
NTT Basic Research Laboratories
第 2 著者 氏名(和/英) 新家 昭彦 / Akihiko SHINYA
第 2 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所
NTT Basic Research Laboratories
第 3 著者 氏名(和/英) 吉良 剛 / Goh KIRA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学総合理工学研究科
Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 近藤 真吾 / Shingo KONDO
第 4 著者 所属(和/英) 東海大学
Tokai university
第 5 著者 氏名(和/英) 倉持 栄一 / Eiichi KURAMOCHI
第 5 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所
NTT Basic Research Laboratories
第 6 著者 氏名(和/英) 納富 雅也 / Masaya NOTOMI
第 6 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所
NTT Basic Research Laboratories
第 7 著者 氏名(和/英) 土澤 泰 / Tai Tuchizawa
第 7 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
NTT Microsystem Integlation Laboratories
第 8 著者 氏名(和/英) 渡辺 俊文 / Toshifumi WATANABE
第 8 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
NTT Microsystem Integlation Laboratories
発表年月日 2005-01-27
資料番号 PN2004-94,OFT2004-100,OPE2004-201,LQE2004-148
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 601
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
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