講演名 | 1994/2/16 サブミクロンSIS接合の作成 野口 卓, 坂本 彰弘, 落合 啓, |
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抄録(和) | サブミリ波帯SISミクサに利用可能な高電流密度をもつサブマイクロンSIS接合を作成するプロセスを検討した。従来のセルフアラインによる層間絶縁膜の埋め込みに先だって、接合周辺に陽極酸化によって厚い酸化膜を形成することにより、サブギャップ電流が非常に小さく、ギャップ電圧での電流の立ち上がりが非常にシャープな電流-電圧特性を有するSIS接合を再現良く作成できるようになった。陽極酸化を導入した新しいプロセスで作成したSIS接合では接合サイズの微小化にともなう特性の劣化がほとんどみられず、10kA, cm^2を越える電流密度をもつサブミクロンのサイズの高品質SIS接合を作成できた。 |
抄録(英) | A new fabrication process are proposed for high-quality and high current-density SIS junctions,which are applicable to SIS mixers in the submillimeter-wave region.Before the deposition of insulator through the selfalligned photoresist mask,a thick anodized oxide layer was formed around SIS junctions.By the introduction of the anodization process,high-quality SIS junctions with the size of submicrometer have been successfully fabricated. Submicrometer sized-SIS junctions with current densities larger than 10kA, cm^2 have also been succeeded with the new process. |
キーワード(和) | SIS接合 / SISミクサ / サブミリ波受信機 / 陽極酸化法 / サブミクロン |
キーワード(英) | SIS junction / SIS mixer / submillimeter-wave receiver / anodization / submicrometer |
資料番号 | SCE93-64,CPM93-118 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SCE |
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開催期間 | 1994/2/16(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | サブミクロンSIS接合の作成 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication of Submicrometer-Sizd SIS Junctions |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SIS接合 / SIS junction |
キーワード(2)(和/英) | SISミクサ / SIS mixer |
キーワード(3)(和/英) | サブミリ波受信機 / submillimeter-wave receiver |
キーワード(4)(和/英) | 陽極酸化法 / anodization |
キーワード(5)(和/英) | サブミクロン / submicrometer |
第 1 著者 氏名(和/英) | 野口 卓 / Takashi Noguchi |
第 1 著者 所属(和/英) | 国立天文台野辺山 Nobeyama Radio Observatory |
第 2 著者 氏名(和/英) | 坂本 彰弘 / Akihiro Sakamoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 国立天文台野辺山 Nobeyama Radio Observatory |
第 3 著者 氏名(和/英) | 落合 啓 / Satoshi Ochiai |
第 3 著者 所属(和/英) | 通信総合研究所 Communication Research Laboratory |
発表年月日 | 1994/2/16 |
資料番号 | SCE93-64,CPM93-118 |
巻番号(vol) | vol.93 |
号番号(no) | 461 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |