| 講演名 | 1994/2/16 レーザーMBE法による無限層酸化物薄膜の二次元エピタキシャル成長と電気特性制御 前田 辰郎, 下園 和樹, 吉本 護, 鯉沼 秀臣, |
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| 抄録(和) | 新超伝導体探索の観点から、レーザーMBE法を用いて、酸化物高温超伝導体の母体構造を有する無限層酸化物BaCuO_2の2次元エピタキシャル成長、および分子層制御によるキャリアー注入特性について検討した。BaCuO_2薄膜の堆積中、単位格子層2次元エピタキシャル成長に基づくRHEED強度振動を観測した。BaCuO2へのNa^+(p-type)及びCe^4+>(n-type)を使った、均一ドープ、δドープ、分子層変調ドープの3種類の方法において、キャリアー注入が有効に行われることを確認した。特にNaドープBaCuO_2層とノンドープBaCuO_2層からなる分子層レベルでのキャリアー変調超格子において、各単層膜が半導的伝導特性を示すにもかかわらず、超格子膜では、金属的電導挙動に変化することを見いだした。 |
| 抄録(英) | Laser MBE growth and carrier-doping characteristics of infinitelayer alkaline-earth cuprate films,which are the parent structure of high Tc oxide superconductor,were investigated to explore new high Tc superconductors.We could observe the RHEED intensity oscillation during a growth of BaCuO_2,indicating that the film was grown in a two-dimensional epitaxy mode.Carrier injection into the epitaxial BaCuO_2 films was achieved by homogenous doping,δ-doping and molecular layer modulation doping.E specially,the modulation doped superlattices composed of BaCuO_2 and Na-doped BaCuO_2 layeres turned to be metallic although both of BaCUO_2 and(Ba,Na)CuO_2 were semiconductive. |
| キーワード(和) | レーザーMBE / 無限層構造 / キャリアー注入 / 酸化物超格子 |
| キーワード(英) | Laser MBE / Infinite-layer / Carrier doping / Ceramics superlattice |
| 資料番号 | SCE93-58,CPM93-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1994/2/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーMBE法による無限層酸化物薄膜の二次元エピタキシャル成長と電気特性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional epitaxy and electoronic property control of infinite-layer cuprate films by laser MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザーMBE / Laser MBE |
| キーワード(2)（和/英） | 無限層構造 / Infinite-layer |
| キーワード(3)（和/英） | キャリアー注入 / Carrier doping |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物超格子 / Ceramics superlattice |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 辰郎 / Tatsuro Maeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工業材料研究所 Research Laboratory of Engineering Materials,Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 下園 和樹 / Kazuki Shimozono |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工業材料研究所 Research Laboratory of Engineering Materials,Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉本 護 / Mamoru Yoshimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工業材料研究所 Research Laboratory of Engineering Materials,Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鯉沼 秀臣 / Hideomi Koinuma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工業材料研究所 Research Laboratory of Engineering Materials,Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/2/16 |
| 資料番号 | SCE93-58,CPM93-112 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 461 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |