講演名 | 1994/2/16 低エネルギー酸素イオンビームを酸化源とした酸化物薄膜のMBE成長 川口 健一, / 喜多 隆介, 西山 円, 森下 忠隆, |
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抄録(和) | 超高真空中における酸化物薄膜のMBE成長を実現するために、新しい酸化源として質量分離された低エネルギー酸素イオン(O^+)ビームを開発し、その有効性を検討した。O^+は酸化力が極めて大きく、高純度のものを得ることができ、基板への入射量と入射エネルギーを制御できるという特徴を持つ。O^+ビームを用いることにより超高真空中(3×10^-9>Torr)において100℃のMgO基板上にCuO薄膜のエピタキシャル成長を行った。また、O^+ビームとCu分子線のフラックス比による膜中酸素量の直接制御の可能性を示した。 |
抄録(英) | We propose a new oxygen source of mass-separated low-energy oxygen ion(O+)beams for MBE growth of oxide thin films in ultrahigh vacuum.The oxygen ions have excellent ability of oxidation and can be highly purified.Moreover,incident flux and kinetic energy of the O+ beam can be easily controlled.CuO thin films were epitaxially grown on(001)MgO substrates at 100℃ in ultr ahigh vacuum of 3x10-9 Torr using the O+ beam.We also show a possibility of direct control of oxygen stoichiometry in oxide thin films by flux ratio of O+ to metallic elements. |
キーワード(和) | 低エネルギー酸素イオンビーム / 酸化物薄膜 / MBE成長 |
キーワード(英) | mass-separated low-energy oxygen ion beam / oxide thin film / MBE growth |
資料番号 | SCE93-57,CPM93-111 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SCE |
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開催期間 | 1994/2/16(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 低エネルギー酸素イオンビームを酸化源とした酸化物薄膜のMBE成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | MBE growth of oxide thin films using mass-separated low-energy oxygen ion beams |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 低エネルギー酸素イオンビーム / mass-separated low-energy oxygen ion beam |
キーワード(2)(和/英) | 酸化物薄膜 / oxide thin film |
キーワード(3)(和/英) | MBE成長 / MBE growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 川口 健一 / Kenichi Kawaguchi |
第 1 著者 所属(和/英) | ISTEC超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory,ISTEC |
第 2 著者 氏名(和/英) | / 喜多 隆介 / Govind Pindoria |
第 2 著者 所属(和/英) | ISTEC超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory,ISTEC |
第 3 著者 氏名(和/英) | 西山 円 / Ryusuke Kita |
第 3 著者 所属(和/英) | ISTEC超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory,ISTEC |
第 4 著者 氏名(和/英) | 森下 忠隆 / Madoka Nishiyama |
第 4 著者 所属(和/英) | ISTEC超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory,ISTEC |
発表年月日 | 1994/2/16 |
資料番号 | SCE93-57,CPM93-111 |
巻番号(vol) | vol.93 |
号番号(no) | 461 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |