| 講演名 | 2005-06-24 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) 八木 英樹, 三浦 幸治, 西本 頼史, プルームウォンロート タノーム, 大平 和哉, 丸山 武男, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いることにより、歪補償量子細線活性層(細線幅: 24nm、4層量子細線)を有するGaInAsP/InP活性層分離型DFBレーザを初めて実現した。室温連続動作条件による電流-光出力特性から、ストライプ幅3.0μm、共振器長330μmの素子において、しきい値電流2.7mA(しきい値電流密度: 270A/cm^2)が得られ、量子細線活性層による体積効果、及び活性層分離型DFB構造に起因した高内部反射により、量子細線レーザとして従来にない低しきい値電流動作を達成した。また、しきい値の2倍の注入電流における発振スペクトル測定から、発振波長1541nm、副モード抑圧比51dBが観測され、良好な単一モード動作が得られた。 |
| 抄録(英) | GaInAsP/InP distributed feedback (DFB) lasers consisting of strain-compensated quantum-wire active regions (wire width of 24nm, four-stacked quantum-wires) were realized by electron beam lithography, CH_4/H_2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth for the first time. A threshold current as low as 2.7mA (threshold current density: 270A/cm^2) was attained for the stripe width of 3.0μm and the cavity length of 330μm under the room-temperature continuous-wave condition, which was attributed to a volume effect of the quantum-wire active region and moderately strong reflectivity of the DFB grating. From measurement of the lasing spectrum, single-mode operation with a sub-mode suppression ratio as high as 51dB was observed in the lasing wavelength of 1541nm. |
| キーワード(和) | 量子細線レーザ / DFBレーザ / 歪補償量子井戸 / OMVPE再成長 |
| キーワード(英) | Quantum-Wire Laser / DFB Laser / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH_4/H_2-RIE / OMVPE Regrowth |
| 資料番号 | OPE2005-18,LQE2005-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/6/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Threshold Current Operation of 1540nm Wavelength GaInAsP/InP Strain-Compensated Quantum-Wire DFB Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線レーザ / Quantum-Wire Laser |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / DFB Laser |
| キーワード(3)（和/英） | 歪補償量子井戸 / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | OMVPE再成長 / Strain-Compensated Quantum-Well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki YAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 幸治 / Koji MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西本 頼史 / Yoshifumi NISHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | プルームウォンロート タノーム / Dhanorm PLUMWONGROT |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大平 和哉 / Kazuya OHIRA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2005-06-24 |
| 資料番号 | OPE2005-18,LQE2005-17 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 143 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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